[發明專利]太陽能電池

無效

• 申請號: 200680008213.2
• 申請日: 2006-02-25
• 公開（公告）號: CN101142689A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 馬庫斯·舒伯特;烏韋·拉烏;菲利普·約翰內斯·羅斯坦;維特·恩古茵
• 申請（專利權）人: Q－電池股份公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所
• 代理人: 孫征

1.一種太陽能電池，具有：含第一種摻雜的基底層(12)，它與極性相反的含第二種摻雜的正面層(14)形成一個界面；帶有至少一個正面接觸件(18)和至少一個背面接觸件(32)，其中，在基底層(12)和背面接觸件(32)之間至少裝有一個鈍化層(24)和一個隧道接觸層(26、28)。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，鈍化層(24)由與基底層(12)極性相同的摻雜或高摻雜材料構成。

3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，背面接觸件(32)為金屬接觸面。

4.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，至少背面接觸件(32)或正面接觸件(18)由鋁、金、銀或其他金屬構成。

5.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，鈍化層(24)由無定形硅(a-Si)構成。

6.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，隧道接觸層(26、28)由微晶體硅(μc-Si)構成。

7.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，隧道接觸層(26、28)具有第一高摻雜層(26)和極性相反的第二高摻雜層(28)。

8.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，基底層(12)為p型摻雜，正面層為n型摻雜，隧道接觸層(26、28)具有一個p⁺型高摻雜層(26)和一個n⁺型高摻雜層(28)。

9.根據權利要求1至6所述的太陽能電池，其特征在于，隧道接觸層(26、28)具有第一摻雜層(26)和極性相同的第二高摻雜層(28)。

10.根據權利要求1至6所述的太陽能電池，其特征在于，基底層(12)為p型摻雜，正面層為n型摻雜，隧道接觸層(26、28)具有第一個p型摻雜層(26)和第二個p⁺型高摻雜層(28)。

11.根據權利要求8或10所述的太陽能電池，其特征在于，鈍化層(24)是p型摻雜層或p⁺型高摻雜層。

12.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，在鈍化層(24)和基底層(12)之間裝有一個由a-Si構成的本征層。

13.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，在隧道接觸層(26、28)和背面接觸件(32)之間設置有一個可導電的透明材料層(30)，該層優選由氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(ITO)或一種可導電的聚合物構成。

14.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，至少鈍化層(24)、隧道接觸層(26、28)或本征層(22)中含有氫。

15.根據權利要求14所述的太陽能電池，其特征在于，至少其鈍化層(24)、隧道接觸層(26、28)或本征層(22)含有原子百分比濃度大約為1到20at.％的氫。

16.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，基底材料(12)由單晶體硅或多晶體硅(μc-Si)構成。

17.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，正面層(14)配有一個鈍化層(16)，該鈍化層在正面接觸區域內(18)中斷。

18.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，至少有一個層是通過薄膜工藝、尤其是等離子增強化學氣相沉積法、濺射或催化CVD法(熱絲化學氣相沉積法)來制成的。

19.根據上述任一權利要求所述的太陽能電池，其特征在于，在最高溫度約為250℃，最好為200℃的條件下加裝材料層。