[發(fā)明專(zhuān)利]成膜裝置和成膜方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680008202.4 | 申請(qǐng)日: | 2006-03-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101142662A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 千田二郎;大島元啟;石田耕三;富永浩二 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 學(xué)校法人同志社;株式會(huì)社堀場(chǎng)制作所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/31 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/31 |
| 代理公司: | 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 | 代理人: | 徐申民;董紅曼 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種成膜裝置,該裝置是使液體原料氣化,使其堆積在基板上而成膜的成膜裝置,其特征在于,
該裝置具有將上述基板保持在內(nèi)部的成膜室和將上述液體原料直接噴射到上述成膜室內(nèi)的噴射閥,
上述液體原料為含有金屬化合物和低沸點(diǎn)有機(jī)化合物的混合溶液,使上述成膜室內(nèi)的壓力大于與上述低沸點(diǎn)有機(jī)化合物混合前的上述金屬化合物的蒸氣壓,且小于上述混合溶液的蒸氣壓。
2.如權(quán)利要求1所記載的成膜裝置,其特征在于,上述金屬化合物為有機(jī)鉭化合物或有機(jī)鈮化合物。
3.如權(quán)利要求2所記載的成膜裝置,其特征在于,即使在大氣壓中的100℃以上,上述有機(jī)鉭化合物或有機(jī)鈮化合物的蒸氣壓為1Torr以下。
4.如權(quán)利要求2所記載的成膜裝置,其特征在于,在大氣壓中的40℃以下的溫度時(shí),上述有機(jī)鉭化合物或有機(jī)鈮化合物為液體。
5.如權(quán)利要求2所記載的成膜裝置,其特征在于,上述有機(jī)鉭化合物或有機(jī)鈮化合物為醇鹽系、胺系、β-二酮絡(luò)合物、苯化合物系或五元環(huán)化合物系。
6.如權(quán)利要求1所記載的成膜裝置,其特征在于,即使在20℃以下,上述低沸點(diǎn)有機(jī)化合物在大氣壓下的蒸氣壓為1Torr以上。
7.如權(quán)利要求1所記載的成膜裝置,其特征在于,上述低沸點(diǎn)有機(jī)化合物是能夠用CxH2x+2(5≤X≤7)表示的化合物。
8.如權(quán)利要求1所記載的成膜裝置,其特征在于,上述低沸點(diǎn)有機(jī)化合物是能夠用CxH2x+1OH(1≤X≤4)表示的化合物。
9.一種成膜方法,該方法使液體原料氣化,使其堆積在基板上而成膜,
其特征在于,
將含有金屬化合物和低沸點(diǎn)有機(jī)化合物的混合溶液作為上述液體原料直接噴射到將上述基板保持在內(nèi)部的成膜室內(nèi),
使上述成膜室內(nèi)的壓力大于與上述低沸點(diǎn)有機(jī)化合物混合前的上述金屬化合物的蒸氣壓,且小于上述混合溶液的蒸氣壓。
10.如權(quán)利要求9所記載的成膜方法,其特征在于,上述金屬化合物為有機(jī)鉭化合物或有機(jī)鈮化合物。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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