[發(fā)明專利]用于使可磁化物體磁化的方法和裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680008122.9
• 申請日: 2006-03-16
• 公開（公告）號: CN101138055A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 盧茨·梅
• 申請（專利權(quán)）人: NCTE工程有限公司
• 主分類號: H01F13/00
• 分類號: H01F13/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊生平;朱勝

1.一種用于使可磁化物體磁化的方法，所述方法包括以下步驟：

將第一消磁信號施加到所述可磁化物體，以使所述可磁化物體消磁，其中，所述第一消磁信號是具有第一頻率和第一幅度的交變電信號；

將磁化信號施加到經(jīng)消磁的可磁化物體，以使所述可磁化物體磁化；

將第二消磁信號施加到經(jīng)磁化的可磁化物體，以使所述經(jīng)磁化的可磁化物體部分消磁，其中，所述第二消磁信號是具有第二頻率和第二幅度的交變電信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述第一消磁信號、所述磁化信號和所述第二消磁信號中的至少一個被直接施加到所述可磁化物體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，

其中，所述第一消磁信號、所述磁化信號和所述第二消磁信號中的至少一個是注入到所述可磁化物體中的電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任一項所述的方法，

其中，所述第一頻率小于所述第二頻率。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一項所述的方法，

其中，所述第一幅度大于所述第二幅度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的任一項所述的方法，

其中，所述第一頻率小于或等于50Hz。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任一項所述的方法，

其中，所述第二頻率大于或等于100Hz。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中的任一項所述的方法，

其中，所述第一幅度大于或等于20A。

9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中的任一項所述的方法，

其中，所述第二幅度小于或等于10A。

10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中的任一項所述的方法，

其中，所述第二消磁信號以這樣的方式來選擇，使得寄生效應(yīng)被抑制。

11.根據(jù)權(quán)利要求1到10中的任一項所述的方法，

其中，所述第二消磁信號以這樣的方式來選擇，使得僅表面磁化被從所述可磁化物體選擇性地去除。

12.根據(jù)權(quán)利要求1到11中的任一項所述的方法，

其中，根據(jù)所述第一消磁信號和/或第二消磁信號的所述交變電信號選自包括以下的組：正弦信號、余弦信號、三角信號、鋸齒信號、脈沖信號和矩形信號。

13.根據(jù)權(quán)利要求1到12中的任一項所述的方法，

進(jìn)一步包括：在已經(jīng)施加了所述第二消磁信號之后，通過以下來調(diào)節(jié)對所述可磁化物體的磁化：

鄰近經(jīng)磁化的物體布置至少一個消磁元件；

通過激勵所述消磁元件使所述經(jīng)磁化的物體的部分消磁，以便通過形成所述物體中與所述物體的剩余磁化部直接相鄰的去磁部來調(diào)節(jié)對所述可磁化物體的磁化。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，

其中，所述至少一個消磁元件中的至少一個是消磁線圈。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，

其中，所述消磁線圈被布置成包圍所述經(jīng)磁化物體的待去磁的部分。

16.根據(jù)權(quán)利要求13到15中的任一項所述的方法，

其中，所述至少一個消磁元件中的至少一個是電磁體。

17.根據(jù)權(quán)利要求14到16中的任一項所述的方法，

其中，所述至少一個消磁元件通過施加隨時間變化的電信號而被激勵。

18.根據(jù)權(quán)利要求14到17中的任一項所述的方法，

其中，所述至少一個消磁元件通過施加交變電流或交變電壓而被激勵。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，

其中，所述交變電流或交變電壓以基本上小于50Hz的頻率交變。

20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的方法，

其中，所述交變電流或交變電壓以小于5Hz的頻率交變。

21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，

其中，所述至少一個消磁元件中的至少一個是永久磁體。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，

其中，所述永久磁體是通過在所述物體的附近以隨時間變化的方式移動所述永久磁體而被激勵的。