[發(fā)明專利]金剛石醫(yī)療器械

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680007879.6
• 申請(qǐng)日: 2006-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN101203939A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·C·里納雷斯;P·J·多林;B·里納雷斯;A·R·吉尼斯;W·W·德羅米肖瑟;M·默里;A·E·諾韋克;J·M·亞伯拉罕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 阿波羅鉆石公司
• 主分類號(hào): H01L21/203
• 分類號(hào): H01L21/203;B81B1/00;B81C1/00;C30B25/02
• 代理公司: 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊勇;鄭建暉

1.一種方法，包括：

在金剛石上形成構(gòu)圖的掩膜；

在選定的能級(jí)通過掩膜對(duì)金剛石曝光，以進(jìn)行離子注入；以及

加工金剛石，以形成與該掩膜上的圖案相對(duì)應(yīng)的緊接所注入的離子的空隙。

2.權(quán)利要求1所述的方法，還包括在多個(gè)選定能級(jí)通過掩膜對(duì)金剛石曝光以進(jìn)行離子注入。

3.權(quán)利要求2所述的方法，其中該空隙具有取決于多次曝光的能級(jí)的深度。

4.權(quán)利要求3所述的方法，其中該空隙包括在金剛石的不同能級(jí)的通道之間的豎直通孔。

5.權(quán)利要求3所述的方法，其中該空隙包括在金剛石內(nèi)的儲(chǔ)存器和金剛石的表面之間的豎直通孔。

6.權(quán)利要求1所述的方法，其中該金剛石包括單晶體CVD金剛石。

7.權(quán)利要求1所述的方法，其中該離子注入包括氫離子。

8.權(quán)利要求1所述的方法，其中該離子注入包括碳離子。

9.權(quán)利要求1所述的方法，其中加工金剛石包括將金剛石加熱到足以使所注入的離子周圍的金剛石分離的溫度。

10.權(quán)利要求1所述的方法，其中加工金剛石包括在所注入的離子周圍刻蝕金剛石。

11.權(quán)利要求1所述的方法，其中該空隙包括流體結(jié)構(gòu)。

12.一種方法，包括：

在金剛石上形成多層掩膜；

在選定的能級(jí)通過掩膜選擇性地對(duì)金剛石曝光，以進(jìn)行離子注入；以及

加工金剛石，以對(duì)應(yīng)于掩膜上的各種圖案去除緊接所注入的離子的金剛石。

13.權(quán)利要求12所述的方法，其中選擇該掩膜和注入能級(jí)以形成三維金剛石結(jié)構(gòu)。

14.權(quán)利要求13所述的方法，其中該三維金剛石結(jié)構(gòu)包括釋放的懸臂梁。

15.權(quán)利要求13所述的方法，其中該三維金剛石結(jié)構(gòu)包括具有連接不同能級(jí)上的至少兩個(gè)毛細(xì)管的空隙的多級(jí)型式的毛細(xì)管。

16.權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過一個(gè)掩膜在多個(gè)選定能級(jí)對(duì)金剛石進(jìn)行離子注入以形成豎直空隙。

17.權(quán)利要求16所述的方法，其中該空隙具有基于多次曝光能級(jí)的深度。

18.權(quán)利要求16所述的方法，其中該空隙包括在金剛石的不同能級(jí)的通道之間的豎直通孔。

19.權(quán)利要求16所述的方法，其中該空隙包括在金剛石內(nèi)的儲(chǔ)存器和金剛石的表面之間的豎直通孔。

20.權(quán)利要求12所述的方法，其中該金剛石包括單晶體CVD金剛石。

21.權(quán)利要求12所述的方法，其中該離子注入包括氫離子。

22.權(quán)利要求12所述的方法，其中該離子注入包括碳離子。

23.權(quán)利要求12所述的方法，其中該離子注入包括在使用不同掩膜的不同曝光中注入氫離子和碳離子。

24.權(quán)利要求12所述的方法，其中加工金剛石包括將金剛石加熱到足以使所注入的離子周圍的金剛石分離的溫度。

25.權(quán)利要求12所述的方法，其中加工金剛石包括在所注入的離子周圍刻蝕金剛石。

26.一種用CVD金剛石來涂覆結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括：

涂敷金剛石晶種到該結(jié)構(gòu)；以及

在晶種上生長(zhǎng)能足以用其覆蓋該結(jié)構(gòu)的預(yù)期部分的CVD金剛石。

27.權(quán)利要求26所述的方法，其中該金剛石晶種包括納米晶體金剛石。

28.權(quán)利要求27所述的方法，其中在蒸發(fā)的溶液中將該納米晶體金剛石涂敷到該結(jié)構(gòu)。

29.權(quán)利要求28所述的方法，其中該溶液包括乙醇。

30.權(quán)利要求28所述的方法，其中該溶液包括粘合劑。

31.權(quán)利要求30所述的方法，其中該粘合劑包括光刻膠。

32.權(quán)利要求26所述的方法，其中該CVD金剛石在大約200℃到100℃之間的溫度范圍生長(zhǎng)。