[發明專利]含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半導體

有效

• 申請號: 200680007702.6
• 申請日: 2006-02-23
• 公開（公告）號: CN101137693A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·P·格拉赫;戴維·A·恩代爾;丹尼斯·E·沃格爾
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;C07D333/28;C07D333/22;H01L51/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 郭國清;樊衛民

1.一種下式的化合物：

其中Y是氫原子、鹵素原子、烷基和芳基或全氟醚酰基，p至少是1，R_f是全氟醚基團。

2.如權利要求1所述的化合物，具有下式：

其中每個R_f獨立地是全氟醚基團，n至少是1。

3.如權利要求2所述的化合物，其中每個R_f是全氟烷氧基亞烷基或全氟聚醚基團。

4.如權利要求2所述的化合物，其中每個R_f對應于下式：

R_f¹-O-(R_f²)_x(R_f³)-

其中R_f¹代表全氟烷基，R_f²代表由具有1～4個全氟化碳原子的全氟亞烷氧基構成的全氟化的聚亞烷氧基或這類全氟亞烷氧基的混合物，R_f³代表全氟亞烷基，x是0～25。

5.如權利要求4所述的化合物，其中每個R_f²獨立地選自-CF₂-CF₂-O-，-CF(CF₃)-CF₂-O-，-CF₂-CF(CF₃)-O-，-CF₂-CF₂-CF₂-O-，-CF₂-O-，-CF(CF₃)-O-，和-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-O-。

6.如權利要求4所述的化合物，其中每個R_f³獨立地選自-CF₂-CF₂-，-CF(CF₃)-CF₂-，-CF₂-CF(CF₃)-，-CF₂-CF₂-CF₂-，-CF₂-O-，-CF(CF₃)-，和-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-。

7.如權利要求4所述的化合物，其中x是1～4。

8.如權利要求2所述的化合物，其中每個R_f是R_f¹-O-[CF(CF₃)-CF₂O]_x-CF(CF₃)-，其中R_f¹是全氟烷基，x至少是1。

9.如權利要求4所述的化合物，其中R_f¹代表具有1～6個碳原子的全氟化烷基。

10.如權利要求2所述的化合物，其中n是3～6。

11.如權利要求2所述的化合物，其中R_f是

12.一種制備權利要求2所述的化合物的方法，包括

在鈀催化劑存在下使雙-三烷基甲錫烷基(低聚)噻吩與2-鹵代-5-全氟醚酰基噻吩或5-鹵代-5′-全氟醚酰基低聚噻吩反應。

13.如權利要求12所述的方法，包括在鈀催化劑存在下使下式的雙-三烷基甲錫烷基噻吩

其中每個R選自低級烷基，

與下式的2-鹵代-5-全氟醚酰基噻吩反應：

其中m是1～3，R_f是全氟醚基團。