[發明專利]空穴注入層/傳輸層組合物及裝置

有效

• 申請號: 200680007564.1
• 申請日: 2006-02-09
• 公開（公告）號: CN101679714A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 特洛伊·D·哈蒙德;肖恩·P·威廉姆斯;埃琳娜·舍伊娜;布賴恩·伍德沃斯;達林·萊爾德;克里斯托弗·格雷科
• 申請（專利權）人: 普萊克斯托尼克斯公司
• 主分類號: C08L41/00
• 分類號: C08L41/00;C08L65/02;C08L101/12;C08L65/00;C08L79/02;H01L51/50
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫

1.一種用在空穴注入層或空穴傳輸層中的混合組合物，其包括以下組 分：

(i)至少一種固有導電的聚合物，所述固有導電的聚合物是立體規則 性3-取代聚噻吩的均聚物或共聚物，

(ii)至少一種導電聚合物的摻雜劑，其中所述摻雜劑選自鹵分子、三 氯化鐵或三氯化金、五氟化砷、次氯酸堿金屬鹽、質子酸、有機酸、亞硝 鎓離子鹽、有機氧化劑和高價碘氧化劑；和

(iii)至少一種平面化劑，其中所述平面化劑是合成聚合物，所述合成 聚合物選自聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物、聚(乙酸乙烯酯)或其衍生物、 聚(乙二醇)或其衍生物、聚(乙烯-共-乙酸乙烯酯)、聚(吡咯烷酮)或其衍生 物、聚(乙烯基吡啶)或其衍生物、聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物、聚(丙 烯酸丁酯)或其衍生物；

其中當組合物為厚度小于200nm的空穴注入層或空穴傳輸層的形式 時，所述組分可溶于非水溶劑，且配制形成相容的混合物，并且

其中所述固有導電的聚合物、所述摻雜劑和所述平面化劑的量分別為 0.5wt％～25wt％、0.5wt％～5wt％和0.5wt％～80wt％。

2.根據權利要求1所述的組合物，其中所述固有導電的聚合物是嵌段 共聚物。

3.根據權利要求1所述的組合物，其中所述固有導電的聚合物是立體 規則性烷基/烷氧基、醚、聚醚、或芳基取代的聚噻吩嵌段共聚物，其包括 聚噻吩嵌段和非聚噻吩嵌段。

4.根據權利要求1所述的混合組合物，其中所述層小于100nm厚。

5.根據權利要求1所述的組合物，其中所述組合物為2～100nm厚的 膜。

6.根據權利要求1所述的組合物，其中所述固有導電的聚合物的量和 平面化劑的量分別為0.5wt％～25wt％和0.5wt％～70wt％。

7.根據權利要求1所述的組合物，其中所述摻雜劑包括有機氧化劑。

8.根據權利要求1所述的組合物，其中所述摻雜劑是質子酸或有機 酸。

9.一種電致發光(EL)裝置，其包括陽極、陰極和空穴注入層或空穴傳 輸層，其中所述空穴注入層或空穴傳輸層包括權利要求1所述的混合組合 物。

10.一種包括噴墨印刷權利要求1所述組合物的步驟的方法，其中所 述組合物進一步包括有機溶劑。

11.一種包括空穴注入層或空穴傳輸層的電致發光裝置，所述空穴注 入層或空穴傳輸層包括以下組分：

(i)至少一種溶于非水溶劑的固有導電的聚合物，所述固有導電的聚 合物是立體規則性3-取代聚噻吩的均聚物或共聚物，

(ii)至少一種導電聚合物的摻雜劑，其中所述摻雜劑選自鹵分子、三 氯化鐵或三氯化金、五氟化砷、次氯酸堿金屬鹽、質子酸、有機酸、亞硝 鎓離子鹽、有機氧化劑和高價碘氧化劑；和

(iii)至少一種平面化劑，其中所述平面化劑是溶于非水溶劑的合成聚 合物，所述合成聚合物選自聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物、聚(乙酸乙烯 酯)或其衍生物、聚(乙二醇)或其衍生物、聚(乙烯-共-乙酸乙烯酯)、聚(吡 咯烷酮)或其衍生物、聚(乙烯基吡啶)或其衍生物、聚(甲基丙烯酸甲酯)或 其衍生物、聚(丙烯酸丁酯)或其衍生物；

其中所述空穴注入層或空穴傳輸層小于200nm厚，并且

其中所述固有導電的聚合物、所述摻雜劑和所述平面化劑的量分別為 0.5wt％～25wt％、0.5wt％～5wt％和0.5wt％～80wt％。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述固有導電的聚合物是立體 規則性烷基/烷氧基、醚、聚醚、或芳基取代的聚噻吩嵌段共聚物，其包括 聚噻吩嵌段和非聚噻吩嵌段。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中所述空穴注入層或空穴傳輸層 為2nm～100nm厚。

14.根據權利要求11所述的裝置，其中所述摻雜劑是有機氧化劑。