[發(fā)明專利]利用短波長LED和下變頻材料產(chǎn)生白光的封裝設(shè)計有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680007453.0 | 申請日: | 2006-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN101138104A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | N·納倫德朗;顧益敏 | 申請(專利權(quán))人: | 倫斯勒工業(yè)學(xué)院 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 覃鳴燕 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 波長 led 變頻 材料 產(chǎn)生 白光 封裝 設(shè)計 | ||
1.一種產(chǎn)生色度值在黑體軌跡附近并且顯色指數(shù)大于約80的可見光的方法,其中使用短波長固態(tài)發(fā)光裝置、量子點材料以及熒光粉材料產(chǎn)生所述可見光,所述方法包括:
a)使用所述短波長固態(tài)發(fā)光裝置產(chǎn)生具有第一光譜的短波長光,該第一光譜具有第一峰值波長,且所述第一峰值波長小于約500nm;
b)使用至少部分所述短波長光輻照所述量子點材料,以便所述量子點材料吸收所述短波長光的第一部分并將其重新發(fā)射為具有第二光譜的長波長光,所述第二光譜具有第二峰值波長,且該第二峰值波長大于約600nm;
c)使用至少部分所述短波長光輻照所述熒光粉材料,以便所述熒光粉材料吸收所述短波長光的第二部分并將其重新發(fā)射為具有第三光譜的中波長光,所述第三光譜具有第三峰值波長,且該第三峰值波長在所述第一峰值波長和所述第二峰值波長之間;以及
d)將所述短波長光的第三部分、至少部分所述中波長光、以及至少部分所述長波長光作為所述可見光發(fā)射。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(d)中發(fā)射的所述可見光的所述色度值在CIE-1931圖上以黑體軌跡的x色度值的大約0.01和y色度值的大約0.01為邊界的區(qū)域內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(d)中發(fā)射的所述可見光的所述顯色指數(shù)大于約85。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(d)中發(fā)射的所述可見光的所述顯色指數(shù)大于約90。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(d)中發(fā)射的所述可見光的相關(guān)色溫更小在約1000K和約16000K之間。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(d)中發(fā)射的所述可見光的相關(guān)色溫在約3300K和約3600K之間。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(a)中由所述短波長固態(tài)發(fā)光裝置產(chǎn)生的所述短波長光的所述第一峰值波長在約200nm和約500nm之間。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(b)中由所述量子點材料發(fā)射的所述長波長光的所述第二峰值波長在約600nm和約700nm之間。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(b)中由所述量子點材料產(chǎn)生的所述長波長光的所述第二光譜的半高全寬小于約50nm。
10.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(b)還包括使用至少部分所述中波長光輻照所述量子點材料,以便由所述量子點材料吸收所述中波長光的第四部分并將其重新發(fā)射為附加的長波長光。
11.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(c)中由所述熒光粉材料發(fā)射的所述中波長光的所述第三峰值波長在約500nm和約600nm之間。
12.如權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟(c)中由所述熒光粉材料產(chǎn)生的所述中波長光的所述第三光譜的半高全寬小于約150nm。
13.一種寬帶寬光源,包括:
短波長固態(tài)發(fā)光裝置,用于產(chǎn)生具有第一光譜的短波長光,所述第一光譜具有第一峰值波長,且所述第一峰值波長小于約500nm;
量子點材料,所述量子點材料光學(xué)地耦合到所述短波長固態(tài)發(fā)光裝置并由所述短波長光的第一部分進(jìn)行輻照,所述量子點材料適于吸收具有所述第一光譜的入射光的第一部分并將所述吸收光重新發(fā)射為具有第二光譜的長波長光,所述第二光譜具有第二峰值波長,且所述第二峰值波長大于約600nm;以及
熒光粉材料,所述熒光粉材料光學(xué)地耦合到所述短波長固態(tài)發(fā)光裝置并由所述短波長光的第二部分進(jìn)行輻照,所述熒光粉材料適于吸收具有所述第一光譜的入射光的第二部分并將所述吸收光重新發(fā)射為具有第三光譜的中波長光,所述第三光譜具有第三峰值波長,且所述第三峰值波長在所述第一峰值波長和所述第二峰值波長之間,
其中所述短波長固態(tài)發(fā)光裝置、所述量子點材料、以及所述熒光粉材料被配置成使得第一數(shù)量的所述短波長光、第二數(shù)量的所述長波長光、以及第三數(shù)量的所述中波長光基本上從所述寬帶寬光源同時發(fā)射出去,作為色度值在黑體軌跡附近并且顯色指數(shù)大于80的可見光。
14.如權(quán)利要求13所述的寬帶寬光源,其中所述短波長固態(tài)發(fā)光裝置是短波長發(fā)光二極管(LED)、短波長共振腔LED、或短波長二極管激光器之一。
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