[發明專利]等離子體氧化及氧化材料的去除

有效

• 申請號: 200680007411.7
• 申請日: 2006-02-27
• 公開（公告）號: CN101164121A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 金允圣;A·貝利三世;尹央錫;A·M·豪瓦德
• 申請（專利權）人: 蘭姆研究有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;C23F1/00;C03C15/00;C23F3/00;C03C25/68
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 段曉玲;韋欣華

1.導電層的蝕刻方法，包括：

轉化所述導電層的至少一部分；及

蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分，從而暴露保留的表面，所述保留表面具有小于大約10nm的平均表面粗糙度。

2.根據權利要求1的方法，其中所述導電層包括銅層或銅合金層。

3.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分包括氧化所述導電層的所述至少一部分。

4.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分包括氮化所述導電層的所述至少一部分。

5.根據權利要求1的方法，其中所述導電層形成于下層之上，所述下層形成于襯底上。

6.根據權利要求5的方法，其中所述下層為阻擋層。

7.根據權利要求5的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分包括基本轉化整個導電層和轉化所述下層的至少一部分。

8.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分和蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分基本上同時發生。

9.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分和蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分原位進行。

10.根據權利要求1的方法，其中蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分包括用BCl₃進行蝕刻。

11.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分包括用包括氯和氧的氧化混合物來氧化所述導電層的所述至少一部分。

12.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分包括用包括氬和氧的氧化混合物來氧化所述導電層的所述至少一部分。

13.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分包括在高于大約200℃的溫度轉化所述導電層的所述至少一部分。

14.根據權利要求1的方法，其中轉化所述導電層的所述至少一部分包括在等離子體中轉化所述導電層的至少一部分。

15.根據權利要求1的方法，其中蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分包括在低于大約150℃的溫度蝕刻所述導電層。

16.根據權利要求1的方法，其中蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分包括用動態彎液面蝕刻。

17.根據權利要求1的方法，其中蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分包括在等離子體中蝕刻所述導電層。

18.根據權利要求1的方法，其中保留表面的平均表面粗糙度低于大約0.04倍的所述導電層的被轉化部分的厚度。

19.根據權利要求18的方法，轉化所述導電層的所述至少一部分和蝕刻所述導電層以基本去除所述導電層的被轉化部分基本上同時進行。

20.蝕刻銅層的方法，包括：

在等離子體室中在高于大約200℃的溫度下，用第一等離子體氧化所述銅層的至少一部分；及

蝕刻所述銅層以基本去除所述銅層的被氧化部分從而暴露保留的表面，所述保留表面具有小于大約10nm的平均表面粗糙度，其中所述銅層在等離子體室中用第二等離子體在低于大約100℃的溫度下蝕刻。

21.蝕刻導電層的系統，包括：

等離子體室，所述等離子體室能夠封閉襯底，所述襯底具有暴露的導電材料層，所述等離子體室能夠支持溫度高于大約200℃的第一等離子體和低于大約100℃的第二等離子體；

與等離子體室相連的轉化物種源；

與等離子體室相連的蝕刻物種源；和

與等離子體室相連的控制器，所述控制器能夠控制進入等離子體室的轉化物種和蝕刻物種的流量，所述控制器包括方案。

22.根據權利要求21的系統，進一步包括動態彎液面蝕刻過程室。