[發明專利]納米粉末的感應等離子體合成

有效

• 申請號: 200680007396.6
• 申請日: 2006-01-27
• 公開（公告）號: CN101160166A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 馬厄·I·鮑洛斯;杰齊·朱雷威茨;郭家銀
• 申請（專利權）人: 泰克納等離子系統公司
• 主分類號: B01J2/04
• 分類號: B01J2/04;C01B13/30;B22F9/08;C01G17/02;B22F9/00;C01G3/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種合成納米粉末的工藝，包括：

a)供給反應材料進入等離子槍，在所述等離子槍中產生具有足夠高溫度的等離子體流從而產生所述材料的過熱氣體；

b)通過所述等離子體流將所述氣體輸運到淬火區；

c)在所述淬火區將冷淬氣體注入所述等離子體流從而形成可更新的氣態冷鋒；并且

d)在所述可更新的氣態冷鋒和等離子體流之間的界面形成納米粉末。

2.根據權利要求1的工藝，還包括在收集區收集納米粉末。

3.根據權利要求2的工藝，其中所述氣態冷鋒對所述等離子體流施加收縮效應。

4.根據權利要求3的工藝，其中所述收縮效應與淬火氣體流量成正比。

5.根據權利要求4的工藝，包括通過在所述淬火區的壁部的多個開口而在所述淬火區中注入所述冷淬氣體。

6.根據權利要求5的工藝，其中所述多個開口界定多孔壁部。

7.根據權利要求5的工藝，其中所述多個開口界定開槽的壁部。

8.根據權利要求5的工藝，其中所述多個開口界定穿孔壁部。

9.根據權利要求5、6、7或8任一項的工藝，其中所述淬火區是淬火室。

10.根據權利要求1的工藝，其中所述反應材料選自由固體、液體和氣體供給物組成的組。

11.根據權利要求1的工藝，其中所述過熱氣體處于可以與所述等離子體流和/或淬火氣體反應的反應溫度。

12.根據權利要求10的工藝，其中所述反應材料選自由金屬、合金、有機金屬化合物、氯化物、溴化物、氟化物、碘化物、亞硝酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、碳酸鹽、氧化物和復合物組成的組。

13.根據權利要求1的工藝，還包括：

e)在所述等離子體流中供給第二反應材料；并且

f)將所述第二反應材料與所述反應材料反應從而產生與所述反應材料化學成份不同的納米粉末。

14.根據權利要求13的工藝，包括將所述第二反應材料注入所述等離子槍。

15.根據權利要求13的工藝，包括將所述第二反應材料注入所述等離子槍和淬火區之間的反應器。

16.根據權利要求13的工藝，其中所述第二反應材料為淬火氣體。

17.一種合成納米粉末的設備，包括：

a)等離子槍，產生等離子體流并且在所述等離子體流中從提供給所述等離子槍的反應材料生產過熱氣體。

b)淬火室，安裝在所述等離子槍下游并且與所述等離子槍流體連接從而從所述等離子槍接收過熱氣體，所述淬火室被構造為接收淬火氣體并且從所述淬火氣體產生可更新氣態冷鋒從而快速冷卻所述過熱氣體，產生納米粉末。

18.根據權利要求17的設備，還包括收集納米粉末的收集室。

19.根據權利要求17的設備，其中所述氣態冷鋒對所述等離子體流施加收縮效應。

20.根據權利要求19的設備，其中所述收縮效應與淬火氣體流量成正比。

21.根據權利要求17的設備，其中所述淬火室包括具有多個開孔的壁部，用于在所述淬火室中注入所述淬火氣體。

22.根據權利要求21的設備，其中所述壁部是多孔壁部。

23.根據權利要求21的設備，其中所述壁部是開槽壁部。

24.根據權利要求21的設備，其中所述壁部是穿孔壁部。

25.根據權利要求17的設備，其中所述反應材料選自由固體、液體和氣體供給物組成的組。

26.根據權利要求17的設備，其中所述過熱氣體處于可以與所述等離子體流和/或淬火氣體反應的反應溫度。

27.根據權利要求17的設備，其中所述反應材料選自由金屬、合金、有機金屬化合物、氯化物、溴化物、氟化物、碘化物、亞硝酸鹽、硝酸鹽、草酸鹽、碳酸鹽、氧化物和復合物組成的組。