[發(fā)明專利]適用于去除蝕刻后的光致抗蝕劑和底部抗反射涂層的組合物有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680007314.8 | 申請(qǐng)日: | 2006-01-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101137939A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大衛(wèi)·W·明賽克;王威華;大衛(wèi)·D·伯恩哈德;托馬斯·H·鮑姆;梅利莎·K·拉斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 高級(jí)技術(shù)材料公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/30 | 分類號(hào): | G03F7/30;G03F7/32;G03F7/42 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 王海川;樊衛(wèi)民 |
| 地址: | 美國(guó)康*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 適用于 去除 蝕刻 光致抗蝕劑 底部 反射 涂層 組合 | ||
1.一種水基去除用組合物,該組合物適用于將光致抗蝕劑和/或底部抗反射涂層(BARC)材料從其所在的微電子裝置基片上去除,所述組合物包含在水性介質(zhì)中的至少一種離液序列高的溶質(zhì)和至少一種堿性鹽,其中該去除用組合物適用于將光致抗蝕劑和/或BARC材料從其所在的微電子裝置上去除。
2.權(quán)利要求1的組合物,基于組合物的總重量而言,包含如下的組分:
60.0%重量-98.0%重量??去離子水
1.0%重量-30.0%重量???離液序列高的溶質(zhì);和
1.0%重量-10.0%重量???堿性鹽,
其中組合物的這些組分的重量百分比總計(jì)不超過(guò)100%重量。
3.權(quán)利要求1的組合物,其中該至少一種離液序列高的溶質(zhì)包括選自如下的離液序列高的物質(zhì):尿素;氯化胍;2-、3-和4-氨基苯甲酸;2-、3-和4-硝基苯甲酸;2-、3-和4-茴香酸;2-、3-和4-氟-、氯-、溴-和碘-苯甲酸;2-、3-和4-甲硫基-苯甲酸;2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪;苯胺;2-、3-和4-甲硫基-苯胺;2-、3-和4-茴香胺;1,2-、1,3-和1,4-苯二胺;1,3,5-三嗪;蜜胺;乙酰胍胺;2,4-二氨基-6-苯基-1,3,5-三嗪;2-氯-4,6-二氨基-1,3,5-三嗪;2,4,6-三甲氧基-1,3,5-三嗪;2,4,6-三甲氧基-1,3,5-三嗪;2,4-二氨基-1,3,5-三嗪;2-氨基-1,3,5-三嗪;2-氨基-4-乙氧基-6-(甲氨基)-1,3,5-三嗪;2-甲氧基-4-甲基-6-(甲氨基)-1,3,5-三嗪;1,2,4-三唑;咪唑;2-巰基咪唑;2-巰基苯并咪唑;選自氯化物鹽、溴化物鹽、碘化物鹽、硝酸鹽、硫氰酸鹽、氯酸鹽和苯甲酸鹽的離液序列高的陰離子;及其組合。
4.權(quán)利要求3的組合物,其中與離液序列高的陰離子相關(guān)聯(lián)的陽(yáng)離子包括(NR1R2R3R4)+,其中R1、R2、R3和R4相互間可以是相同或不同的,各自獨(dú)立地選自氫和C1-C6烷基。
5.權(quán)利要求1的組合物,其中該至少一種離液序列高的溶質(zhì)包括原子或分子半徑大于或等于1.6的離液序列高的陰離子。
6.權(quán)利要求1的組合物,其中該至少一種離液序列高的溶質(zhì)包括尿素。
7.權(quán)利要求1的組合物,其中該至少一種堿性鹽包括(NR1R2R3R4)OH,其中R1、R2、R3和R4相互間可以是相同或不同的,各自獨(dú)立地選自氫和C1-C6烷基。
8.權(quán)利要求1的組合物,其具有的pH值大于約13。
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