[發明專利]成像裝置無效
| 申請號: | 200680007186.7 | 申請日: | 2006-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN101133495A | 公開(公告)日: | 2008-02-27 |
| 發明(設計)人: | 西澤宏 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H04N5/335;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 肖鸝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 裝置 | ||
1.一種成像設備,包括:
半導體成像裝置,具有彩色濾光片和多個光電二極管;以及
成像光學系統,用于將光從目標引導至所述半導體成像裝置,
其中所述半導體成像裝置的各個光電二極管的開口直徑是依據穿過設于所述光電二極管的入射表面側上的彩色濾光片并到達所述入射表面的光的波長來確定。
2.如權利要求1所述的成像設備,包括置于所述半導體成像裝置和所述成像光學系統之間的光學濾光片,
其中所述半導體成像裝置的各個光電二極管的開口直徑是依據進入與所述光電二極管相對應光學濾光片上的區域的光的入射角來確定。
3.如權利要求1或2所述的成像設備,其中所述半導體成像裝置的統一線上的像素的高度相等。
4.一種成像設備,包括:
半導體成像裝置,具有彩色濾光片和多個光電二極管;以及
成像光學系統,用于將光從目標引導至所述半導體成像裝置,
其中位于所述多個光電二極管的至少一部分的入射表面的對立側上的所述半導體成像裝置具有用于探測穿過所述光電二極管的光的輔助光電二極管。
5.如權利要求4所述的成像設備,其中所述輔助光電二極管的尺寸是依據穿過設于所述光電二極管入射表面側上的彩色濾光片并到達所述入射表面的光的波長來確定。
6.如權利要求4或5所述的成像設備,包括置于所述半導體成像裝置和所述成像光學系統之間的光學濾光片,
其中所述輔助光電二極管的尺寸是依據進入與所述光電二極管相對應光學濾光片上的區域的光的入射角來確定。
7.一種成像設備,包括:
半導體成像裝置,具有彩色濾光片和多個光電二極管;以及
成像光學系統,用于將光從目標引導至所述半導體成像裝置,
其中位于所述多個光電二極管的至少一部分的入射表面的對立側上的所述半導體成像裝置具有用于反射穿過所述光電二極管的光的反射層。
8.如權利要求7所述的成像設備,其中所述反射層的尺寸或反射率是依據穿過設于光電二極管入射表面側上的彩色濾光片并到達所述入射表面的光的波長來確定。
9.如權利要求7或8所述的成像設備,其中所述反射層由銀白色金屬形成。
10.如權利要求7或8所述的成像設備,其中所述反射層是由半導體形成。
11.如權利要求7至10任意一項所述的成像設備,包括置于所述半導體成像裝置和所述成像光學系統之間的光學濾光片,
其中所述反射層的尺寸或反射率是依據進入與所述光電二極管相對應光學濾光片上的區域的光的入射角來確定。
12.如權利要求1至11任意一項所述的成像設備,包括用于容放所述半導體成像裝置的三維基板,所述三維基板不透射可見光和近紅外光。
13.如權利要求1至12任意一項所述的成像設備,其中所述半導體成像裝置的像素節距為2微米以下。
14.一種包括如權利要求1至13任意一項所述的成像設備的便攜電話設備。
15.一種半導體成像裝置,包括:
多個光電二極管,用于將入射光轉換成電信號;以及
彩色濾光片,設于光電二極管的入射表面側上,
其中所述光電二極管的開口的直徑是依據穿過設于所述光電二極管的入射表面側上的彩色濾光片并到達所述入射表面的光的波長來確定。
16.一種半導體成像裝置,包括:
多個光電二極管,用于將入射光轉換成電信號;
彩色濾光片,設于光電二極管的入射表面側上;以及
輔助光電二極管,布置于所述多個光電二極管的至少一部分的入射表面的對立側上,所述輔助光電二極管具有依據從彩色濾光片入射到所述光電二極管的透射光的波長的尺寸。
17.一種半導體成像裝置,包括:
多個光電二極管,用于將入射光轉換成電信號;
彩色濾光片,設于光電二極管的入射表面側上;以及
反射層,布置于所述多個光電二極管的至少一部分的入射表面的對立側上,所述反射層具有依據從彩色濾光片入射到所述光電二極管的透射光的波長的尺寸或反射率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下電器產業株式會社,未經松下電器產業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680007186.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





