[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200680006918.0
• 申請日: 2006-02-28
• 公開（公告）號: CN101133497A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 魯鴻飛;神保信一
• 申請（專利權）人: 富士電機控股株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L27/08;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/78;H01L27/04;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 張鑫

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的漂移層；

所述漂移層上的第一導電類型的第一區，所述第一區的電阻率低于所述漂移層的電阻率；

局部設置在所述第一區和所述漂移層之間的埋置絕緣區；

所述埋置絕緣區和所述漂移區之間的第二導電類型的區域，所述第二導電類型的區域與所述漂移層接觸；

與所述第一區接觸的第二導電類型的主體區；

所述主體區中的第一導電類型的低電阻區；

所述主體區中的第二導電類型的接觸區；

電連接到所述接觸區和所述低電阻區的正面電極；

所述第一區和所述低電阻區之間的主體區的部分上的柵絕緣膜；以及

與所述主體區相對的一側上的柵電極，且所述柵絕緣膜置于其間。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括局部設置在所述第一區和所述漂移層之間的第一導電類型的第二區，所述第二區的電阻率低于所述第一區的電阻率。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第二導電類型的區域是浮置區。

4.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的漂移層；

所述漂移層上的第一導電類型的第一區，所述第一區的電阻率低于所述漂移層的電阻率；

局部地設置在所述第一區和所述漂移層之間的埋置絕緣區；

所述埋置絕緣區上第二導電類型的主體區，所述主體區與所述第一區接觸；

所述主體區中的第一導電類型的低電阻區；

所述主體區中的第二導電類型的接觸區；

電連接到所述接觸區和所述低電阻區的正面電極；

所述第一區和所述低電阻區之間的主體區的部分上的柵絕緣膜；

與所述主體區相對的一側上的柵電極，且所述柵絕緣膜置于其間；以及

所述主體區在所述埋置絕緣區邊緣之一的周圍延伸至所述埋置絕緣區之下。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括溝槽柵結構，所述溝槽柵結構包括向下延伸至所述埋置絕緣區的溝槽，且所述溝槽包括置于其中的所述柵絕緣膜和所述柵電極。

6.如權利要求1至4中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括平面柵結構，所述平面柵結構包括設置在所述主體區上的所述柵絕緣膜和所述柵電極。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括設置在所述第二導電類型的主體區中的所述第一導電類型的低電阻區之下的第二導電類型的埋置低電阻區。

8.如權利要求1、2、3、4、6和7中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述主體區與所述埋置絕緣區接觸。

9.如權利要求1、2、3、5、6和7中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述主體區在所述埋置絕緣區上。

10.如權利要求1至9中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括在所述漂移層的與所述第一區相對的一側上的第二導電類型的低電阻層以及電連接到所述第二導電類型的低電阻層的背面電極。

11.如權利要求1至9中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括在所述漂移層的與所述第一區相對的一側上的第一導電類型的低電阻層以及電連接到所述第一導電類型的低電阻層的背面電極。

12.一種半導體器件的制造方法，所述方法包括以下步驟：

在第一導電類型的漂移層的表面中形成第二導電類型的區域；

在所述漂移層和所述第二導電類型的區域上形成將構成埋置絕緣區的氧化物膜；

去除所述氧化物膜的一部分，由此暴露所述漂移層的一部分；

通過從所述漂移層的暴露的表面的外延生長來生長第一導電類型的半導體，由此用所述第一導電類型的半導體填充所述氧化物膜的去除的部分，并通過沿所述氧化物膜橫向的外延生長來生長所述第一導電類型的半導體，由此用所述第一導電類型的半導體層覆蓋所述氧化物膜；

拋光通過外延生長在所述氧化物膜上生長的半導體層，使得所述半導體層具有預定的厚度；以及

在所述拋光的半導體層上形成用于所述半導體器件的表面結構。