[發明專利]半導體封裝的制造方法及所制成的封裝

無效

• 申請號: 200680006473.6
• 申請日: 2006-02-27
• 公開（公告）號: CN101133484A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: N·J·A·范費恩;R·德克爾;C·C·塔克
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王英

1.一種具有第一面(1)和第二面(2)的撓性半導體封裝(100)，在所述面(1、2)之間存在具有減薄的背部基板(10)和互連結構的半導體器件(20)，在該第一面(1)上存在用于外部接觸的接觸裝置(31、33)和第一樹脂層(52)，該接觸裝置(31、33)耦合到所述互連結構，并且在該第二面(2)上所述半導體器件(20)至少基本上由第二樹脂層(12)覆蓋，

其特征在于所述接觸裝置(31、33)存在于所述第一樹脂層(52)上且利用延伸穿過所述第一樹脂層(52)的重新分布軌線(32、34)耦合到所述互連結構，且鈍化層(55)至少基本上覆蓋所述第一樹脂層(52)和所述重新分布軌線(32、34)。

2.如權利要求1所述的撓性半導體封裝，其中所述第二樹脂層(12)還覆蓋有鈍化層(35)。

3.如權利要求2所述的撓性半導體封裝，其中所述半導體器件設置有具有絕緣層(11)的基板(10)，且所述鈍化層(35、55)鄰近所述相應的樹脂層(12、52)中的孔和/或在所述相應的樹脂層(12、52)中的孔中延伸到所述絕緣層(11)，從而形成所述半導體器件(20)的密封的外殼。

4.如權利要求1所述的封裝，其中所述鈍化層(55、35)包括無機材料。

5.如權利要求1所述的撓性半導體封裝，其中所述樹脂層(12、52)之一具有倒圓的邊緣。

6.如權利要求1所述的封裝，其中所述半導體器件(20)設置有基板面和互連面，在該基板面存在半導體基板(10)且在該互連面存在所述互連結構，并且其中所述第一樹脂層(52)存在于所述基板面上而所述第二樹脂層(12)存在于所述互連面上。

7.如權利要求1所述的撓性半導體封裝，其中所述接觸裝置為通過所述鈍化層暴露出來的接觸焊盤。

8.如權利要求2所述的撓性半導體封裝，其中至少一個接觸焊盤存在于所述第二樹脂層上且通過所述鈍化層中的孔暴露出來。

9.一種組件，其包括如權利要求7-8中任何一項所述的撓性半導體封裝以及另一設置有利用凸塊耦合到所述接觸焊盤的接觸焊盤的電子器件。

10.一種用于制造多個半導體封裝的方法，包括如下步驟：

-提供晶片，該晶片具有基板面和相對的互連面并具有多個半導體器件，所述多個半導體器件在所述互連面具有互連結構；

-在所述互連結構上施加樹脂層；

-利用粘合劑將所述晶片第一面附著到載體；

-從第二面減薄所述晶片；

-在所述晶片的所述第二面上施加另一樹脂層，以及

-從所述載體上將至少一些由此形成的半導體封裝除去，

其特征在于將接觸裝置限定在利用延伸通過該第一樹脂層的重新分布軌線耦合到所述互連結構的所述樹脂層中的第一樹脂層上，并且將鈍化層施加在所述第一樹脂層和所述重新分布軌線上。

11.如權利要求10所述的方法，其中對所述晶片的所述第二面上的所述樹脂層進行構圖，以限定分離通道，且在所述構圖的樹脂層上施加另一鈍化層。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述晶片設置有氧化層，在施加所述鈍化層之前在所述分離通道中去除該氧化層。

13.如權利要求10或11所述的方法，其中對所述晶片的所述第二面上的所述樹脂層進行構圖，以便在所述分離通道處具有倒圓的邊緣。

14.如權利要求10所述的方法，其中所述接觸裝置為接觸焊盤，且在所述接觸焊盤上以帽的形式施加焊料。

15.如權利要求14所述的方法，其中通過浸入有所需成分的槽中來施加所述焊料凸塊。

16.一種包括多個如權利要求1所述的半導體封裝的半成品，其中所述樹脂層之一在所述封裝之間是連續的，從而通過分離所述樹脂層可以使所述封裝獨立。

17.一種通過分離所述樹脂層來分離如權利要求15所述的半成品的方法。