[發明專利]SiAlON陶瓷及其制造方法無效
| 申請號: | 200680006428.0 | 申請日: | 2006-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN101133001A | 公開(公告)日: | 2008-02-27 |
| 發明(設計)人: | R·L·耶克利 | 申請(專利權)人: | 鈷碳化鎢硬質合金公司 |
| 主分類號: | C04B35/00 | 分類號: | C04B35/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 李帆 |
| 地址: | 美國賓*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | sialon 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1.一種由起始粉體混合物制成的SiAlON陶瓷體,所述起始粉體混合物包括氮化硅粉體和向該SiAlON陶瓷體提供鋁、氧、氮、和至少兩種選定稀土元素的一種或多種粉體,其中所述選定稀土元素選自下面三組稀土元素的至少兩組中,其中第I組包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu,且第II組包括Gd、Tb、Dy和Ho,且第III組包括Er、Tm、Yb和Lu,并且該SiAlON陶瓷體包括:
含有α′SiAlON相和β′SiAlON相的兩相復合物,且α′SiAlON相中含有一種或多種選定的稀土元素,不包括La和Ce;并且
氮化硅粉體占起始粉體混合物的至少約70重量%,氮化硅粉體中β-氮化硅含量的下限等于氮化硅粉體的0重量%且上限等于約1.6重量%。
2.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中維氏硬度(18.5kg載荷)大于或者等于約17GPa,且斷裂韌性(KIC?Evans&Charles)大于或者等于約6.8MPa·m1/2。
3.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中維氏硬度(18.5kg載荷)大于或者等于約18.5GPa,且斷裂韌性(KIC?Evans&Charles)大于或者等于約6.8MPa·m1/2。
4.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中α′SiAlON相的存在量大于或者等于兩相復合物的約35重量%,維氏硬度(18.5kg的載荷)大于或者等于約18GPa,且斷裂韌性(KIC?Evans&Charles)大于或者等于約6.8MPa·m1/2。
5.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中α′SiAlON相的存在量大于或者等于兩相復合物的約50重量%。
6.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中氮化硅起始粉體占起始粉體混合物的至少約80重量%,α′SiAlON相的存在量大于或者等于兩相復合物的約25重量%,維氏硬度(18.5kg的載荷)大于或者等于約17GPa,且斷裂韌性(KIC?Evans&Charles)大于或者等于約6.8MPa·m1/2。
7.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中氮化硅起始粉體占起始粉體混合物的至少約85重量%,α′SiAlON相的存在量大于或者等于兩相復合物的約35重量%,維氏硬度(18.5kg的載荷)大于或者等于約18GPa,且斷裂韌性(KIC?Evans&Charles)大于或者等于約6.8MPa·m1/2。
8.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中氮化硅起始粉體含有約0重量%的β氮化硅。
9.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中α′SiAlON相的存在量大于或者等于兩相復合物的約25重量%,維氏硬度(18.5kg載荷)大于或者等于約16.5GPa,且斷裂韌性(KIC?Evans&Charles)大于或者等于約5.4MPa·m1/2。
10.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中維氏硬度(18.5kg載荷)大于或者等于約16.0GPa,且斷裂韌性(KIC?Evans&Charles)大于或者等于約4.4MPa·m1/2。
11.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其中起始粉體混合物中的選定稀土元素包括鐿和鑭,并且α′SiAlON相含有鐿,其中α′SiAlON相中沒有可檢測量的鑭。
12.權利要求1的SiAlON陶瓷體,其進一步在SiAlON陶瓷體上包括含有一個或者多個涂層的涂層體系。
13.權利要求17的SiAlON陶瓷體,其中涂層體系包括由化學氣相淀積施用的氧化鋁涂層。
14.權利要求17的SiAlON陶瓷體,其中涂層體系包括由物理氣相淀積施用的鈦鋁氮化物涂層。
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