技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及例如陶瓷電容器等陶瓷電子部件的制造方法及鍍?cè)。敿?xì)的是涉及在電極中具有Sn鍍膜，并且該Sn鍍膜的形成工序得以改進(jìn)的陶瓷電子部件的制造方法及用于該制造方法等的鍍?cè)　?/p>

背景技術(shù)

以往在陶瓷電容器等電子部件中，為了提高外部電極的可釬焊性，在外部電極表面形成Sn鍍膜的情況較多。在通過(guò)電鍍使Sn鍍膜成膜時(shí)，以往使用了硫酸浴、氨基磺酸浴、鏈烷磺酸浴、鏈醇磺酸浴、氟硼酸浴或苯酚磺酸浴等。

不過(guò)，如果使用氨基磺酸浴或鏈烷磺酸浴等，則在陶瓷含有Ba的情況下，例如使用鈦酸鋇系陶瓷時(shí)，存在Ba溶出到鍍液中的問(wèn)題。因此，容易發(fā)生陶瓷被浸蝕，絕緣電阻的劣化等。

另一方面，在使用硫酸浴的情況下，在鍍液中存在硫酸根離子和Sn離子。這種情況下，即使在使用了含Ba陶瓷的情況下，也幾乎不發(fā)生Ba的溶出，且難以發(fā)生絕緣電阻的下降等。不過(guò)，有時(shí)鍍敷使被鍍物彼此間粘合。

這里，在下述的專利文獻(xiàn)1中，提出了使用包含Sn離子、硫酸根離子、和從氨基磺酸、鏈烷磺酸、鏈醇磺酸、氟硼酸及苯酚磺酸中選擇的至少一種酸的離子，且Sn離子濃度為0.008～0.84摩爾/L、硫酸根離子濃度為0.02～0.31摩爾/L、pH為4.1～6.0的Sn鍍?cè)《纬蒘n鍍膜的方法。

在專利文獻(xiàn)1中所述的方法中，記載了通過(guò)使用上述的特定組成的Sn鍍?cè)。词乖谑褂昧撕珺a陶瓷的情況下，也難以發(fā)生Ba的溶出，且電子部件彼此間的由Sn鍍膜造成的粘合也可靠地被抑制。

專利文獻(xiàn)1：特開(kāi)2004-107693號(hào)公報(bào)

不過(guò)，在使用專利文獻(xiàn)1中所述的Sn鍍?cè)《圃炝颂沾呻娮硬考那闆r下，有時(shí)在外表面具有Sn鍍膜的電極的可釬焊性下降。即，有時(shí)Sn鍍膜表面難以可靠地被焊料包覆。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述的現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于，提供在Sn鍍膜的形成之際，不容易發(fā)生Ba的溶出，且不僅由Sn鍍膜造成的粘合難以發(fā)生，并且可釬焊性(solderability)良好的陶瓷電子部件的制造方法及鍍?cè)　?/p>

根據(jù)本發(fā)明之一，提供了一種制造方法，其包括：

準(zhǔn)備使用含Ba的陶瓷而構(gòu)成的電子部件形成體的工序、和

在所述電子部件形成體的外表面形成電極的工序，

并且該電極具有通過(guò)電鍍所形成的Sn鍍膜，其特征在于，

作為在形成所述Sn鍍膜時(shí)所使用的鍍?cè)。褂肧n離子濃度A為0.03～0.51摩爾/L，硫酸根離子濃度B為0.005～0.31摩爾/L，摩爾比B/A低于1，pH在6.1～10.5的范圍內(nèi)的鍍?cè)　?/p>

根據(jù)本發(fā)明之二，提供一種鍍?cè)。撳冊(cè)≈蠸n離子濃度A為0.03～0.51摩爾/L，硫酸根離子濃度B為0.005～0.31摩爾/L，摩爾比B/A低于1，pH在6.1～10.5的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的鍍?cè)。捎赟n鍍?cè)≈械腟n離子濃度為0.03～0.51摩爾/L，硫酸根離子濃度為0.005～0.31摩爾/L，摩爾比B/A低于1，pH在6.1～10.5的范圍內(nèi)，因此例如在陶瓷等電子部件形成體的外表面形成Sn鍍膜時(shí)，存在于電子部件形成體外表面的金屬?gòu)碾娮硬考纬审w外表面的溶出難以發(fā)生，并且由Sn鍍膜造成的形成體彼此間的粘合也難以發(fā)生。再加上，由于pH在上述特定的范圍內(nèi)，因此在形成了Sn鍍膜時(shí)，該Sn鍍膜的可釬焊性被改善，可以使鍍膜的膜厚偏差變小。

根據(jù)與本發(fā)明相關(guān)的陶瓷電子部件的制造方法，由于在形成Sn鍍膜時(shí)所用的Sn鍍?cè)≈械腟n離子濃度為0.03～0.51摩爾/L，硫酸根離子濃度為0.005～0.31摩爾/L，硫酸根離子和Sn離子的摩爾比低于1，pH在6.1～10.5的范圍內(nèi)，因此在使用含Ba陶瓷件而構(gòu)成的電子部件形成體的外表面形成Sn鍍膜時(shí)，向Ba的鍍?cè)≈械娜艹鲭y以發(fā)生，由Sn鍍膜造成的電子部件形成體彼此間的粘合難以發(fā)生。再加上，由于pH在上述特定的范圍內(nèi)，因此Sn鍍膜形成后的可釬焊性被改善，且Sn鍍膜的膜厚偏差降低。從而，可以穩(wěn)定地供給可釬焊性優(yōu)良的陶瓷電子部件。

附圖說(shuō)明

圖1是表示作為在本發(fā)明的具體的實(shí)施例中所制造的陶瓷電子部件的疊層陶瓷電容器的主視剖面圖。

圖中：1-疊層陶瓷電容器，2-陶瓷燒結(jié)體(電子部件形成體)，3～6：內(nèi)部電極，7a、7b-構(gòu)成基體電極的電極層，8a、8b-構(gòu)成基體電極的Ni鍍膜，9a、9b-Sn鍍膜。

具體實(shí)施方式

以下，將本發(fā)明的詳細(xì)情況根據(jù)具體的實(shí)施方式及實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。