[發(fā)明專利]具有副腔的蝕刻腔

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680006002.5
• 申請日: 2006-02-22
• 公開（公告）號: CN101128622A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 凱爾·S·勒布伊茨;愛德華·F·欣德
• 申請（專利權(quán)）人: 埃克提斯公司
• 主分類號: C23F1/00
• 分類號: C23F1/00;H01L21/306
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余朦;方挺

1.一種半導(dǎo)體晶片或樣品蝕刻系統(tǒng)，包括：

第一腔室，其具有裝載口，所述裝載口用于在所述第一腔室的外部和內(nèi)部之間傳送半導(dǎo)體晶片或樣品，所述第一腔室還具有與所述第一腔室的內(nèi)部連通的真空口，其中所述第一腔室的內(nèi)部限定了第一容積；

樣品支座，設(shè)置在所述第一腔室的內(nèi)部，用于支撐已通過所述裝載口的所述半導(dǎo)體晶片或樣品；以及

副腔組件，設(shè)置在所述第一腔室內(nèi)，所述副腔組件可在打開位置和閉合位置之間移動，其中，在所述打開位置，通過所述裝載口的所述半導(dǎo)體晶片或樣品可被裝載在所述樣品支座上，在所述閉合位置，所述副腔組件與所述第一腔室的結(jié)合形成第二腔室，所述第二腔室限定了更小的、其內(nèi)包含有所述樣品支座和所述真空口的第二容積。

2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括用于朝著所述樣品支座降低所述半導(dǎo)體晶片或樣品、以及從所述樣品支座升高所述半導(dǎo)體晶片或樣品的裝置。

3.如權(quán)利要求2所述的蝕刻系統(tǒng)，其中所述用于降低和升高的裝置至少包括以下裝置之一：

用于在所述半導(dǎo)體晶片或樣品降低或升高的過程中，沿所述半導(dǎo)體晶片或樣品的邊緣支撐所述半導(dǎo)體晶片或樣品的裝置；

用于降低和升高所述半導(dǎo)體晶片或樣品的氣動裝置或液壓裝置；以及

用于降低和升高所述半導(dǎo)體晶片或樣品的電傳動裝置。

4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括：

所述副腔組件內(nèi)的蝕刻氣體口，用于使蝕刻氣體通過其進(jìn)入所述第二腔室；以及

用于將所述蝕刻氣體傳送至所述蝕刻氣體口的裝置。

5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括用于將所述半導(dǎo)體晶片或樣品固定在所述樣品支座上的裝置。

6.如權(quán)利要求1所述的蝕刻系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括當(dāng)所述半導(dǎo)體晶片或樣品被定位在所述樣品支座上時，用于在所述半導(dǎo)體晶片或樣品和所述樣品支座之間引入氣體的裝置。

7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括設(shè)置在所述副腔組件和所述第一腔室之間的第一密封，當(dāng)所述副腔組件處于所述閉合位置時，所述第一密封用于避免在所述副腔組件和所述第一腔室之間氣體的通過。

8.如權(quán)利要求7所述的蝕刻系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括：

接合環(huán)，其設(shè)置在所述副腔組件和所述第一腔室之間；以及

第二密封，其設(shè)置在所述接合環(huán)和所述第一腔室之間，當(dāng)所述副腔組件處于所述閉合位置時，所述第二密封用于避免在所述接合環(huán)和所述第一腔室之間氣體的通過。

9.一種蝕刻半導(dǎo)體晶片或樣品的方法，包括：

(a)將半導(dǎo)體晶片或樣品放置在第一腔室內(nèi)的樣品支座上；

(b)將所述樣品支座上的所述半導(dǎo)體晶片或樣品封入所述第一腔室內(nèi)的第二腔室；

(c)從所述第二腔室內(nèi)排出氣體；并且

(d)將蝕刻氣體引入所述第二腔室，但不引入所述第一腔室。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟至少之一：

將所述半導(dǎo)體晶片或樣品夾持在所述樣品支座上；并且

在所述半導(dǎo)體晶片或樣品與所述樣品支座之間引入導(dǎo)熱氣體。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中：

所述第一腔室具有第一容積；并且

所述第二腔室具有更小的第二容積，所述第二容積與所述第一容積共延。

12.一種半導(dǎo)體晶片或樣品蝕刻系統(tǒng)，包括：

第一腔室；

所述第一腔室內(nèi)的樣品支座；以及

所述第一腔室內(nèi)的副腔組件，所述副腔組件可在第一位置和第二位置之間移動，在所述第一位置，允許在所述樣品支座上放置半導(dǎo)體晶片或樣品或者從所述樣品支座上移走所述半導(dǎo)體晶片或樣品，在所述第二位置，所述副腔組件和所述第一腔室的結(jié)合在所述第一腔室內(nèi)限定了第二腔室，并且所述第二腔室包圍所述樣品支座，從而不能在所述樣品支座上進(jìn)行所述半導(dǎo)體晶片或樣品的放置或移除。

13.如權(quán)利要求12所述的蝕刻系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括用于朝著所述樣品支座降低所述半導(dǎo)體晶片或樣品并從所述樣品支座升高所述半導(dǎo)體晶片或樣品的裝置。