[發(fā)明專利]高壓縮多層RIM的高爾夫球無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680005992.0 | 申請日: | 2006-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN101128241A | 公開(公告)日: | 2008-02-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T·J·肯尼迪;M·J·齊瓦尼斯;D·M·梅蘭森 | 申請(專利權(quán))人: | 卡拉韋高爾夫公司 |
| 主分類號: | A63B37/06 | 分類號: | A63B37/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉鍇;韋欣華 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓縮 多層 rim 高爾夫球 | ||
1.一種多層高爾夫球,包括:
球芯;
中間層;以及,
反應(yīng)注射成型的封皮;
其中高爾夫球的Instron壓縮比為0.0950或更低。
2.如權(quán)利要求1所述的多層高爾夫球,其中球的Instron壓縮比為0.0920或更低。
3.如權(quán)利要求1所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的厚度為0.050英寸或更低。
4.如權(quán)利要求1所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的厚度為0.025英寸或更低。
5.如權(quán)利要求1所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的厚度為大約0.012英寸至大約0.018英寸。
6.如權(quán)利要求1所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的Shore?B硬度為大約50至大約100。
7.如權(quán)利要求1所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的Shore?B硬度為大約80至大約95。
8.如權(quán)利要求1所述的高爾夫球,其中反應(yīng)注射成型的封皮包含PTMEG多元醇、MDI預(yù)聚物和DETDA胺。
9.如權(quán)利要求1所述的高爾夫球,其中覆蓋層包括離聚物或離聚物的共混物。
10.如權(quán)利要求9所述的高爾夫球,其中離聚物或共混物進(jìn)一步包括脂肪酸或脂肪酸金屬鹽。
11.如權(quán)利要求1所述的高爾夫球,其中封皮沿著外表面限定了多個(gè)凹坑,其中至少一個(gè)凹坑經(jīng)封皮層延伸至覆蓋層。
12.如權(quán)利要求1所述的高爾夫球,其中封皮涂敷有包含白色色素的涂層組合物。
13.如權(quán)利要求1所述的高爾夫球,其中在球的外表面施加標(biāo)記標(biāo)識。
14.如權(quán)利要求1所述的高爾夫球,其中所述球芯由包括有機(jī)硫化合物的球芯組合物制成。
15.如權(quán)利要求14所述的高爾夫球,其中有機(jī)硫化合物為PCTP或其金屬鹽。
16.一種多層高爾夫球,包括:
模制橡膠球芯;
位于封皮和球芯之間的中間層,其Shore?D硬度測量大于60;
以及熱固聚氨酯/聚脲反應(yīng)注射成型的封皮,其厚度為大約0.010英寸至大約0.050英寸;
其中所述球的Instron壓縮比為大約0.0750至大約0.1000,彈性大于0.790。
17.如權(quán)利要求16所述的多層高爾夫球,其中球的Instron壓縮比為大約0.0800至大約0.0950。
18.如權(quán)利要求16所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的厚度為0.025英寸或更低。
19.如權(quán)利要求16所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的厚度為大約0.012至大約0.018英寸。
20.如權(quán)利要求16所述的多層高爾夫球,其中球的封皮的Shore?B硬度為大約80至大約95。
21.如權(quán)利要求16所述的高爾夫球,其中覆蓋層包括離聚物或離聚物的共混物。
22.如權(quán)利要求21所述的高爾夫球,其中覆蓋層包括大于80%被中和的離聚物,并進(jìn)一步包括5至50%的脂肪酸或脂肪酸金屬鹽。
23.如權(quán)利要求16所述的高爾夫球,其中封皮沿著外表面限定了多個(gè)凹坑,其中至少一個(gè)凹坑經(jīng)封皮層延伸至覆蓋層。
24.如權(quán)利要求16所述的高爾夫球,其中封皮涂敷有包含白色色素的涂層組合物。
25.如權(quán)利要求16所述的高爾夫球,其中在球的外表面施加標(biāo)記標(biāo)識。
26.如權(quán)利要求16所述的高爾夫球,其中所述球芯由包括有機(jī)硫化合物的球芯組合物制成。
27.如權(quán)利要求26所述的高爾夫球,其中有機(jī)硫化合物為PCTP或其金屬鹽。
28.一種多層高爾夫球,包括:
熱塑或熱固性球芯;
中間層;以及,
反應(yīng)注射成型的封皮;
其中高爾夫球的Instron壓縮比為0.0950或更低。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于卡拉韋高爾夫公司,未經(jīng)卡拉韋高爾夫公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680005992.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:等離子體生成裝置、等離子體控制方法和基板制造方法
- 下一篇:成像裝置





