[發明專利]用于生長薄半導體帶的方法

無效

• 申請號: 200680005915.5
• 申請日: 2006-03-01
• 公開（公告）號: CN101128625A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: C·雷米
• 申請（專利權）人: 索拉爾福爾斯公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/24;C30B29/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種拉拔至少一個半導體材料帶(40、42)的方法，在所述方法中彼此間隔的兩個平行的絲(24、26)以連續的方式垂直向上經過所述半導體材料的熔體的表面，由位于所述絲之間的彎月面并且基本上在所述表面處形成所述帶(40、42)，所述方法的特征在于支撐條帶(22)被插入在所述絲(24、26)之間并且被包含在通過所述絲限定的平面內，所述支撐條帶(22)以連續的方式以與所述絲相同的速率垂直向上經過熔化的半導體材料的所述熔體的所述表面，所述半導體材料帶(40、42)被形成在所述支撐條帶的兩個面中的一個上并且通過所述面被支撐。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于同時地形成兩個半導體材料帶(40、42)，一個半導體材料帶在所述支撐條帶的所述兩個面中的一個面上而另一個半導體材料帶在另一面上。

3.根據任何的上述權利要求的方法，其特征在于所述絲(24、26)由碳或硅制造。

4.根據權利要求3的方法，其特征在于所述絲(24、26)的直徑在0.3mm至1mm范圍內。

5.根據權利要求3或權利要求4的方法，其特征在于使用熱解石墨的薄層涂敷所述絲(24、26)。??

6.根據任何的上述權利要求的方法，其特征在于所述支撐條帶(22)由碳制造。

7.根據權利要求6的方法，其特征在于所述支撐條帶(22)的厚度在200μm至300μm范圍內。

8.根據任何的上述權利要求的方法，其特征在于所述半導體材料帶(40、42)的厚度小于250μm。

9.根據任何的上述權利要求的方法，其特征在于所述熔化的半導體材料被包含在具有基本上水平的底的拉拔坩堝中，所述底包括所述支撐條帶(22)和所述絲(24、26)穿通的孔(28)。

10.根據權利要求9的方法，其特征在于所述孔(28)具有其寬度稍大于所述支撐條帶(22)的厚度的矩形水平截面和，在所述矩形截面的兩端中的每一端處，其具有所述絲經過的圓形水平截面(32、34)。

11.根據任何的上述權利要求的方法，其特征在于所述半導體材料基于半導體元素或者同成分或準同成分的熔化半導體化合物。

12.根據權利要求11的方法，其特征在于所述半導體材料是硅。

13.根據任何的上述權利要求的方法，其特征在于所述支撐條帶的邊緣與所述絲分離開至少100微米以防止使所述支撐條帶變形的任何接觸。