[發(fā)明專利]曝光方法、電子元件制造方法、曝光裝置以及照明光學(xué)裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680005833.0
• 申請(qǐng)日: 2006-02-23
• 公開（公告）號(hào): CN101128917A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 市原裕;中村綾子;白石直正;谷元昭一;工藤祐司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社尼康
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧

1.一種曝光方法，借由來自光源的照明光使圖案在感光性基板上曝光，其特征在于該曝光方法包括：

對(duì)第1繞射光柵照射上述照明光的制程，上述第1繞射光柵在第1方向上具有周期方向，且在與第1方向直交的第2方向上具有長(zhǎng)度方向；

使來自上述第1繞射光柵的繞射光照射至第2繞射光柵的制程，上述第2繞射光柵配置在與上述光源相反側(cè)，離第1繞射光柵僅第1有效距離，且在上述第1方向上具有周期方向；以及

使來自上述第2繞射光柵的繞射光照射至上述感光性基板上的制程，上述感光性基板配置在與上述第1繞射光柵相反側(cè)，距上述第2繞射光柵的距離僅為與上述第1有效距離大致相等的第2有效距離，并且

照射至上述第1繞射光柵上特定一點(diǎn)的上述照明光，是以多個(gè)照明光為主要成分，上述多個(gè)照明光的行進(jìn)方向，包括上述第2方向且與大致垂直于上述第1繞射光柵的特定平面大體一致。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于照射至上述第1繞射光柵的上述照明光的主要成分，其上述行進(jìn)方向自上述特定平面內(nèi)方向的偏移，作為有效角度小于等于1[mrad]。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于使上述第1繞射光柵以及上述第2繞射光柵與上述基板，在上述基板面內(nèi)方向的相對(duì)位置關(guān)系，向上述第2方向偏移，或者，在上述第1方向僅偏移上述第2繞射光柵的上述周期的整數(shù)倍或半整數(shù)倍的長(zhǎng)度，并且多次重復(fù)執(zhí)行上述各制程。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于上述各制程是借由掃描曝光而進(jìn)行，上述掃描曝光是在上述第2方向上對(duì)上述第1繞射光柵以及上述第2繞射光柵與上述基板進(jìn)行相對(duì)掃描并曝光。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光方法，其特征在于上述照明光在上述基板上所照射的區(qū)域的形狀，是上述第2方向的寬度根據(jù)上述第1方向的位置而產(chǎn)生變化。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光方法，其特征在于多次執(zhí)行上述掃描曝光，并且在上述多次的上述掃描曝光的各間歇，使上述第1繞射光柵以及上述第2繞射光柵與上述基板向上述第1方向相對(duì)移動(dòng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其特征在于上述照明光在上述基板上所照射的區(qū)域的形狀，是上述第1方向的寬度根據(jù)上述第2方向的位置而產(chǎn)生變化時(shí)的形狀。

8.一種曝光方法，借由來自光源的照明光使圖案在感光性基板上曝光，其特征在于該曝光方法包括：

對(duì)第1繞射光柵照射上述照明光的制程，上述第1繞射光柵在第1方向上具有周期方向，且在與第1方向直交的第2方向上具有長(zhǎng)度方向；

使來自上述第1繞射光柵的繞射光照射至第2繞射光柵的制程，該第2繞射光柵配置在與上述光源相反側(cè)，離第1繞射光柵僅第1有效距離，且在上述第1方向上具有周期方向；以及

使來自上述第2繞射光柵的繞射光照射至上述感光性基板上的制程，上述感光性基板配置在與上述第1繞射光柵相反側(cè)，距上述第2繞射光柵的距離僅為與上述第1有效距離大致相等的第2有效距離，并且

照射至上述第1繞射光柵上特定一點(diǎn)的上述照明光的有效入射角度的范圍，在上述第1方向小于等于2[mrad]，在上述第2方向大于2[mrad]。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于照射至上述第1繞射光柵上特定一點(diǎn)的上述照明光的有效入射角度的范圍，在上述第1方向小于等于1[mrad]，在上述第2方向大于5[mrad]。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于使上述第1繞射光柵以及上述第2繞射光柵與上述基板，在上述基板面內(nèi)方向的相對(duì)位置關(guān)系，向上述第2方向偏移，或者，在上述第1方向僅偏移上述第2繞射光柵的上述周期的整數(shù)倍或者半整數(shù)倍的長(zhǎng)度，并且多次重復(fù)執(zhí)行上述各制程。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于上述各制程是借由掃描曝光而進(jìn)行，上述掃描曝光是在上述第2方向上對(duì)上述第1繞射光柵以及上述第2繞射光柵與上述基板進(jìn)行相對(duì)掃描并曝光。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于上述照明光在上述基板上所照射的區(qū)域的形狀，是上述第2方向的寬度根據(jù)上述第1方向的位置而產(chǎn)生變化時(shí)的形狀。