[發(fā)明專利]具有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體的模塊

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680005824.1
• 申請(qǐng)日: 2006-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN101128932A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 斯特凡·格勒奇;貝特霍爾德·哈恩;斯特凡·伊萊克;沃爾夫?qū)な┘{貝爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種模塊，具有

單個(gè)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)的有規(guī)則的排列，所述半導(dǎo)體本體被施加在支承體(2)的安裝面(6)上，其中在兩個(gè)相鄰的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)之間的線連接(5)安裝在這兩個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)的與所述安裝面(6)對(duì)置的上側(cè)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中所述有規(guī)則的排列相應(yīng)于由列和行構(gòu)成的矩陣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模塊，其中所述矩陣是3×4、4×3或者16×9的矩陣。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3中任一項(xiàng)所述的模塊，其中兩個(gè)行(17)之間的距離等于或者小于100μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中在兩列(18)之間的距離等于或者小于100μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中在一列內(nèi)的所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)串聯(lián)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中在一行中的兩個(gè)相鄰列中的所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)并聯(lián)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體的上側(cè)具有第一導(dǎo)電類型的層，而在該列中相鄰的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體的上側(cè)具有第二導(dǎo)電類型的層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的模塊，其中所述支承體(2)在所述安裝面(6)上具有金屬化物(4)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的模塊，其中所述金屬化物(4)具有一個(gè)或者多個(gè)中斷(7)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，其中，兩個(gè)中斷之間的距離對(duì)應(yīng)于兩倍行間距。

12.根據(jù)權(quán)利要求2至7中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中每個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)在上側(cè)具有p接觸而且具有n接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的模塊，其中，所述n接觸(8b)被施加在所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)的、設(shè)置在支承體(9)上的層序列(13，9，15，11，12，14，13)的上側(cè)(16)上。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或者13中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中所述p接觸(8a)被施加到所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)的臺(tái)式結(jié)構(gòu)上。

15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中所述支承體(2)在所述安裝面(6)上具有金屬化物。

16.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中在由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)構(gòu)成的裝置之后橫向地設(shè)置有多個(gè)接合墊(3)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的模塊，其中所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)的一部分通過線連接(5)與所述接合墊(3)相連。

18.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)是薄膜半導(dǎo)體本體。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的模塊，其中所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)包含半導(dǎo)體材料如InGaN或者InGaAlP。

20.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的模塊，其中所述支承體(2)包含電絕緣的材料，其中所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體(1)安裝在所述支承體上。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的模塊，其中所述支承體(2)包含陶瓷材料。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的模塊，其中所述支承體(2)包含AlN。

23.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的模塊，其中所述發(fā)射輻射的半導(dǎo)體(1)被造型材料包封。

24.將根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的模塊用于投影應(yīng)用。