[發(fā)明專利]晶片的定位方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680005772.8
• 申請(qǐng)日: 2006-01-09
• 公開（公告）號(hào): CN101128928A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·肖爾特范馬斯特;H·克里斯特;R·施穆基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OC歐瑞康巴爾斯公司
• 主分類號(hào): H01L21/68
• 分類號(hào): H01L21/68;H01L21/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧江;劉春元

1.一種在具有輸送室的真空處理設(shè)備中定位具有基準(zhǔn)標(biāo)記(6)的晶片(3)的方法，該輸送室包含用于使晶片(3)在一個(gè)平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)到安置在該輸送室旁的處理室的輸送裝置(2，20，21)，和單個(gè)的傳感器(1)，其中所述傳感器(1)安置在處理室前的輸送室內(nèi)部，用于通過采集晶片(3)棱邊上的第一檢測(cè)點(diǎn)(4)和第二檢測(cè)點(diǎn)(5)來(lái)采集晶片(3)的位置，使得在已知晶片直徑時(shí)用兩個(gè)所測(cè)得的檢測(cè)點(diǎn)(4，5)的電子分析獲得晶片(3)的真實(shí)位置，并且輸送裝置(2，20，21)將晶片(3)導(dǎo)向所希望的額定位置，其特征在于，將晶片(3)參照其基準(zhǔn)標(biāo)記(6)對(duì)準(zhǔn)地放置在輸送裝置(2，20，21)的預(yù)先設(shè)定的位置上，并且基準(zhǔn)標(biāo)記(6)沿運(yùn)動(dòng)方向在晶片(3)上的投影確定了一個(gè)禁止區(qū)域(22)，并且由此晶片(3)的其余區(qū)域定義出一個(gè)自由區(qū)域，其中將傳感器(1)在輸送室中安置成，使得禁止區(qū)域(22)肯定不被覆蓋并且由此使傳感器(1)可以只采集晶片棱邊的圓形區(qū)域，而不是基準(zhǔn)標(biāo)記(6)部分。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位是用于將晶片中心(12)導(dǎo)向預(yù)先設(shè)定的所希望的額定位置的晶片(3)的定心過程。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，首先在第一個(gè)晶片(3)上測(cè)量，并且在其它后續(xù)輸送步驟中用其他晶片校正到額定位置。

4.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)平移的位移誤差進(jìn)行校正。

5.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述輸送裝置實(shí)施旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和旋轉(zhuǎn)中心(20)以及離開和逼近該中心的徑向運(yùn)動(dòng)，用于將晶片(3)輸送和/或定位到處理室和/或閘室中。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述真空處理設(shè)備是一種群配置。

7.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)于每個(gè)要測(cè)定的晶片(3)只采集晶片棱邊上的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)(4，5)。

8.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述晶片(3)通過其棱邊在輸送平面上的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和/或直線運(yùn)動(dòng)而被引導(dǎo)到傳感器(1)，以采集檢測(cè)點(diǎn)(4，5)。

9.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，選擇將檢測(cè)點(diǎn)(4，5)的位置遠(yuǎn)遠(yuǎn)地互相分開設(shè)置，但是遠(yuǎn)小于要被測(cè)量的晶片直徑。

10.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，將所述晶片支架設(shè)計(jì)成，使得該支架不干擾測(cè)量過程并且優(yōu)選定位在禁止區(qū)域(22)下面。

11.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，每個(gè)具有基準(zhǔn)標(biāo)記(6)的晶片(3)被相同取向地放置在輸送裝置(2，20，21)的支架上，優(yōu)選沿對(duì)著旋轉(zhuǎn)中心(20)的徑向的、橫向運(yùn)動(dòng)(21)的方向校準(zhǔn)。

12.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，同時(shí)計(jì)算所述輸送裝置(2，20，21)的定位精度的容差帶，用于確定所述禁止區(qū)域(22)。

13.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，考慮各種晶片尺寸，并且這些晶片尺寸從其基準(zhǔn)標(biāo)記(6)的相同位置出發(fā)構(gòu)成表示自由區(qū)域(7)的重疊區(qū)域(9)。

14.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，優(yōu)選對(duì)每個(gè)晶片(3)采集和存儲(chǔ)所測(cè)得的晶片(3)的額定位置的偏差，用于為推導(dǎo)出校正措施而識(shí)別系統(tǒng)的狀態(tài)。

15.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，晶片(3)首先在處理室中被加工，隨后從處理室輸送到輸送室，并且在輸送室用單個(gè)傳感器(1)測(cè)量以及將測(cè)量值用電子裝置進(jìn)行處理，并且當(dāng)達(dá)到和/或超過預(yù)先設(shè)定的值時(shí)，在一個(gè)后續(xù)處理步驟中采取相應(yīng)的校正措施。

16.如上述權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，處理多個(gè)測(cè)量步驟并且獲得關(guān)于誤差類型的走向，以及隨后確定用于真空處理設(shè)備的繼續(xù)運(yùn)行方式、尤其用于控制輸送裝置(2，20，21)的措施。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述走向分析能識(shí)別由于輸送裝置與晶片(3)的錯(cuò)誤調(diào)節(jié)而導(dǎo)致的晶片(3)的接觸。