[發明專利]倒裝片安裝方法以及凸起形成方法

有效

• 申請號: 200680005767.7
• 申請日: 2006-03-07
• 公開（公告）號: CN101128924A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 平野浩一;辛島靖治;一柳貴志;富田佳宏;中谷誠一
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種倒裝片安裝方法，與具有多個連接端子的電路基板對置地配置具有多個電極端子的半導體芯片，使所述電路基板的連接端子與所述半導體芯片的電極端子電連接，該倒裝片安裝方法包括：

保持所述半導體芯片，使其相對于所述電路基板具有一定間隙地對置的工序；和

將所述具有一定間隙地被保持的半導體芯片以及電路基板，在放入了含有熔融的焊錫粉的熔融樹脂的浸泡槽內浸泡規定時間的工序；

在所述浸泡工序中，所述熔融焊錫粉在所述電路基板的連接端子與所述半導體芯片的電極端子之間自聚合，從而在該端子間形成連接體。

2.根據權利要求1所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，

所述浸泡工序在使所述具有一定間隙地被保持的半導體芯片以及電路基板在所述浸泡槽內搖動的同時而進行。

3.根據權利要求1所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，

所述浸泡工序在使所述浸泡槽內的所述熔融樹脂流動的同時而進行。

4.根據權利要求1所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，

還包括：在所述浸泡工序之后，從所述浸泡槽中取出所述半導體芯片以及電路基板，使滲透到所述半導體芯片與所述電路基板之間的間隙內的所述熔融樹脂固化的工序。

5.根據權利要求1所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，

保持所述半導體芯片的工序是：通過將所述半導體芯片以及所述電路基板保持于固定夾具，從而保持所述半導體芯片使其相對于所述電路基板具有一定間隙地對置。

6.根據權利要求5所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，

保持所述半導體芯片的工序還包括：通過將多個半導體芯片以及多個電路基板保持于所述固定夾具，從而按照相對于所述各電路基板具有一定間隙地對置的方式保持所述各半導體芯片的工序，

所述浸泡工序通過將所述多個半導體芯片以及所述多個電路基板同時浸泡到所述浸泡槽內的批處理來進行。

7.根據權利要求1所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，

所述浸泡工序在對所述浸泡槽進行減壓的同時而進行。

8.根據權利要求1所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，

所述浸泡工序在對所述熔融樹脂設置了溫度斜率的浸泡槽內而進行，

所述熔融樹脂在該熔融樹脂中含有的焊錫粉處于低溫側區域時而被維持在未熔融狀態，處于高溫側區域時而被維持在熔融狀態，所述具有一定間隙地被保持的半導體芯片以及電路基板在所述浸泡槽內的低溫側區域浸泡規定時間之后，在高溫側區域浸泡規定時間。

9.一種凸起形成方法，在具有多個電極的基板的該電極上形成凸起，該凸起形成方法包括：

將平板保持在相對于所述基板具有一定間隙地對置的位置的工序；和

將所述具有一定間隙地被保持的基板以及平板，在放入了含有熔融的焊錫粉的熔融樹脂的浸泡槽內浸泡規定時間的工序；

在所述浸泡工序中，所述熔融焊錫粉在所述基板的電極上自聚合，從而在所述電極上形成凸起。

10.根據權利要求9所述的凸起形成方法，其特征在于，

還包括：在所述浸泡工序之后，從所述浸泡槽中取出所述基板以及平板，將滲透到所述基板與所述平板的間隙內的所述熔融樹脂以及所述平板除去的工序。

11.根據權利要求9所述的凸起形成方法，其特征在于，

所述平板在與所述基板上形成的多個電極對置的位置上形成有與所述電極大致相同形狀的多個金屬圖案。

12.根據權利要求9所述的凸起形成方法，其特征在于，

所述基板是電路基板、半導體芯片、或半導體晶片。

13.一種安裝裝置，將半導體芯片倒裝安裝到電路基板上，其中包括：

固定夾具，其保持所述半導體芯片以及所述電路基板，使二者具有一定間隙地相互對置；

浸泡槽，其中放入了含有熔融的焊錫粉的熔融樹脂；和

搬送裝置，其將所述固定夾具搬送到所述浸泡槽內；

通過所述搬送裝置，將保持所述半導體芯片以及所述電路基板的固定夾具浸泡到所述浸泡槽內，使所述熔融焊錫粉在所述電路基板的連接端子與所述半導體芯片的電極端子之間自聚合，從而在該端子間形成連接體。