[發(fā)明專利]發(fā)光物體及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680005064.4 | 申請日: | 2006-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN101138101A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邁克爾·G·戴比杰;希斯·W·M·巴斯提安森;迪克·J·布羅爾;邁克爾·J·艾斯古奇;卡羅斯·桑切 | 申請(專利權(quán))人: | 荷蘭科學(xué)技術(shù)基金會 |
| 主分類號: | H01L31/055 | 分類號: | H01L31/055;F24J2/06 |
| 代理公司: | 深圳創(chuàng)友專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 彭家恩 |
| 地址: | 荷蘭烏*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 物體 及其 應(yīng)用 | ||
1.一發(fā)光物體,包括發(fā)光層(1)和波導(dǎo)管(2),其特征在于:所述物體為光學(xué)疊層或光學(xué)纖維,所述發(fā)光物體光學(xué)耦合至所述波導(dǎo)管,所述發(fā)光物體包含含有定向光致發(fā)光材料(3)的陣列聚合物,所述定向光致發(fā)光材料(3)在所述陣列聚合物內(nèi)固定不動(dòng),且所述陣列聚合物相對于所述物體的表面具有10-90°的預(yù)傾斜角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述定向光致發(fā)光材料在一平面電池中具有的二色性比至少為2.0,優(yōu)選至少為3.0,最優(yōu)選至少為5.0。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述陣列聚合物具有30-80°的預(yù)傾斜角。
4.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述陣列聚合物具有的預(yù)傾斜角為30-70°,優(yōu)選為40-70°,更優(yōu)選為40-60°。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述光致發(fā)光材料發(fā)出的光輻射在100-2500nm的范圍內(nèi),優(yōu)選在250-1500nm的范圍內(nèi),且更優(yōu)選在400-1000nm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述發(fā)光物體包括兩個(gè)或更多個(gè)含有定向光致發(fā)光材料的陣列聚合物的堆疊層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光物體,其特征在于:每個(gè)陣列聚合物層都包含不同的光致發(fā)光材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的發(fā)光物體,其特征在于:各個(gè)所述陣列聚合物層中的所述陣列聚合物的所述預(yù)傾斜角隨層而變化。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,所述物體包括光學(xué)耦合至含有定向光致發(fā)光材料的陣列聚合物層的波導(dǎo)管,其特征在于:所述波導(dǎo)管的折射率nw可使nw≥no-0.005成立,其中no為所述陣列聚合物的尋常折射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述波導(dǎo)管的折射率介于所述陣列聚合物層的尋常折射率與非尋常折射率之間。
11.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:該發(fā)光物體還包括一無機(jī)或有機(jī)(聚合)波長選擇鏡,該波長選擇鏡對于所述光致發(fā)光材料吸收的光至少透過50%,且對于所述光致發(fā)光材料發(fā)射的非偏振輻射至少反射50%。
12.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,該任何物體包括一波長選擇鏡,其特征在于:所述波長選擇鏡包含手性向列型聚合物的膽甾醇層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述聚合波長選擇鏡包括一個(gè)或多個(gè)反射右手圓偏振光的膽甾醇層、或一個(gè)或多個(gè)反射左手圓偏振光的膽甾醇層、或同時(shí)包括一個(gè)或多個(gè)反射右手圓偏振光的膽甾醇層以及一個(gè)或多個(gè)反射左手圓偏振光的膽甾醇層。
14.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述物體主要對400-500nm和/或600-700nm范圍內(nèi)的光輻射是透明的。
15.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述物體是包括發(fā)光層(1)和波導(dǎo)管芯(2)的光學(xué)纖維。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-14中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述物體是包括發(fā)光芯(1)和波導(dǎo)管(2)的光學(xué)纖維。
17.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述波導(dǎo)管不包含螢光染料。
18.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述預(yù)傾斜角在15-85°的范圍內(nèi)。
19.根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體,其特征在于:所述預(yù)傾斜角在30-60°的范圍內(nèi)。
20.一種光電器件,包括含有根據(jù)以上權(quán)利要求中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光物體的電磁輻射收集介質(zhì),以及一能夠?qū)⒐廨椛滢D(zhuǎn)化為電能、且與所述發(fā)光物體光學(xué)耦合的光電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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