[發(fā)明專利]利用減小尺寸的存儲器表的塊交織

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680004900.7
• 申請日: 2006-02-03
• 公開（公告）號: CN101120508A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·范登博施
• 申請（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H03M13/27
• 分類號: H03M13/27
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李亞非;劉紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及去交織方法，并且涉及相應(yīng)的交織方法。

本發(fā)明還涉及去交織器以及相應(yīng)的交織器。

背景技術(shù)

交織用于一些數(shù)字通信系統(tǒng)來提高通信的可靠性。已知幾種方案的 交織和去交織，其中去交織是交織的反操作：例如所謂的塊交織，根 據(jù)該交織方案將待發(fā)送的符號序列劃分成決，并且對于每個塊而言屬 于該塊的符號在發(fā)送之前在該塊中被混洗。例如，根據(jù)特定的塊交織 方案，使用了一個R行C列的表，表中的每個元素或者單元可以包含 一個符號：每個塊(一個R×C的符號塊)的符號都通過按照逐行的 次序存儲在該表中并且按照逐列的次序被讀出，從而實(shí)現(xiàn)混洗，反之 亦然。符號可以例如為固定長度的比特串。

這個方案的塊交織在形式上可以表述如下：重新排序R×C符號的 塊，其中每個符號最初具有一個位置索引i，這樣使得每個符號取得一 個新的位置索引i，其中j＝c×R+r，r＝i?DIV?C并且c＝i?MOD?C。

這個塊交織方案的變例例如用于(Blu-ray?Disc)藍(lán)光光盤(BD) 系統(tǒng)，根據(jù)該方案使用了248行304列的稱作ECC群的塊。從上述討 論可以清楚看到，交織/去交織操作可以通過使用248行304列表形式 的存儲器來實(shí)現(xiàn)。

具體在去交織操作中，從光盤取出的ECC塊的字節(jié)最初按照逐行 的次序存儲在表中，隨后，存儲在表中的字節(jié)以逐列的次序讀出，并 且以與讀出時相同的次序存儲在通常稱作緩沖存儲器的一個不同的存 儲器中。這個緩沖存儲器通常具有相當(dāng)大的尺寸，例如為幾兆字節(jié)的 量級，并且通常包含SDRAM存儲器類型。緩沖存儲器用作用于訪問 BD的設(shè)備(通常被稱為驅(qū)動器)和主機(jī)設(shè)備(比如個人計(jì)算機(jī))之間 的接口。

這個R行×C列字節(jié)的表需要適合于完全隨機(jī)的訪問，因?yàn)楸碓? 素被寫入的次序不同于該表元素被讀出的次序，例如逐行對逐列。所 述考慮導(dǎo)致SRAM存儲器的使用，其中每個字節(jié)可以被獨(dú)立尋址。

然而，針對表使用SRAM的主要缺點(diǎn)在于這種類型的存儲器費(fèi)空 間并且，對于所要求量的存儲器為248×304字節(jié)，導(dǎo)致編碼器/譯碼器 IC中相當(dāng)大的區(qū)域被分配僅用于該表。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的是提供一種去交織方法和一種允許使用具有減 小容量空間的表來交織屬于符號塊的符號的相應(yīng)方法。

本發(fā)明的另一個目的是提供一種去交織器和其中使用了減小容量 空間的表的相應(yīng)交織器。

根據(jù)本發(fā)明，第一目的由一種去交織屬于R×C個符號的塊的符 號的方法來實(shí)現(xiàn)。其中R和C是整數(shù)，在所述塊中符號根據(jù)各自的位 置索引i而被排序。該方法包括：-以重新安排的次序重新排序符號， 使得每個符號擁有一個新的位置索引j，這樣j＝c×R+r，r＝i?DIV?C 并且c＝i?MOD?C，以及-以重新安排的次序?qū)⒎柎鎯υ诰彌_存儲器 中，重新排序和存儲符號由以下步驟執(zhí)行：-使用N行C列的表，N是 小于R的整數(shù)，在表中以逐行的次序存儲該塊的N×C個符號的第一 子塊，-以逐列的次序從表的列中取出各組N個符號，并且在緩沖存儲 器中彼此相距R個符號的位置上存儲各組N個符號，以及針對N×C 個符號的隨后子塊多次應(yīng)用：所述在表中以逐行的次序存儲符號，所述 以逐列的次序從表中取出各組N個符號，以及所述在緩沖存儲器中存 儲各組N個符號，所述應(yīng)用的次數(shù)與重新排序塊所需的次數(shù)一樣多， 每次存在于每列中的各組N個符號被存儲在緩沖存儲器中相對于上一 次所存儲的各組N個符號的隨后的位置上。

屬于R×C符號塊的符號的去交織無需使用R行C列的表來實(shí)現(xiàn)， 而是使用更小的N行C列的表來實(shí)現(xiàn)。

在上述去交織方法中，由于結(jié)合表的使用和在緩沖存儲器中存儲 從表的每列中所取出的符號的次序，在緩沖存儲器中根據(jù)重新安排的 次序完成符號的重新安排。

可觀察到，原理上可以無需使用任何表完成交織和去交織操作。 事實(shí)上，例如在去交織中，塊的符號可以根據(jù)去交織的次序直接獨(dú)立 放置在SDRAM緩沖存儲器中。然而，這種不需要任何表的去交織方 法有一個主要缺點(diǎn)：對SDRAM緩沖存儲器的訪問很慢并且低效。