[發明專利]半導體發光元件及其制造方法

無效

• 申請號: 200680004866.3
• 申請日: 2006-02-16
• 公開（公告）號: CN101120451A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 笠原健司;上田和正
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體發光元件的制造方法，包括工序(a)～(c)，

工序(a)是在基板上生長半導體層的工序；

工序(b)是在半導體層上形成包含平均粒徑為0.01μm～10μm的粒子且面密度為2×10⁶cm^-2～2×10¹⁰cm^-2的區域的工序；

工序(c)是對半導體層進行干蝕刻而形成從錐及錐臺中選擇的凸部的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

還包括電極的形成工序(d)。

3.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

基板是由從藍寶石、SiC、Si、MgAl₂O₄、LiTaO₃、ZrB₂、CrB₂及氮化鎵中選擇的至少一種構成的。

4.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

半導體層是金屬氮化物。

5.根據權利要求4所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

半導體層是三族氮化物。

6.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

生長是通過有機金屬氣相生長、分子束外延、氫化物氣相生長進行的。

7.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

粒子是有機物或無機物。

8.根據權利要求7所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

無機物是從由氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物及金屬構成的組中選擇的至少一種。

9.根據權利要求8所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

氧化物包括從由氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鈰、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫以及釔鋁石榴石構成的組中選擇的至少一種。

10.根據權利要求9所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

氧化物是氧化硅。

11.根據權利要求8所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

金屬是從由Si、Ni、W、Ta、Cr、Ti、Mg、Ca、Al、Au、Ag以及Zn構成的組中選擇的至少一種。

12.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

工序(b)的形成是通過將基板浸漬到分散有粒子的料漿、對基板涂敷料漿、或對基板噴霧料漿而進行的。

13.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

干蝕刻進行到粒子的與基板面水平的方向的最大直徑成為粒子平均粒徑的80％以下為止。

14.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

在工序(c)中形成的錐臺，其上底面的面積相對于下底面的面積為25％以下。

15.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

在工序(c)中形成的錐臺，其高度為0.05μm～5.0μm，下底面的直徑為0.05μm～2.0μm。

16.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

在工序(c)中形成的錐，其高度為0.05μm～5.0μm，底面的直徑為0.05μm～2.0μm。

17.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

包括工序(e)，其在工序(b)之后，在半導體層上形成抗蝕膜，通過光刻法使抗蝕膜形成圖案且為規定的形狀，并且，在工序(c)之后，除去由抗蝕膜被覆的部分的抗蝕劑。

18.根據權利要求1所述的半導體發光元件的制造方法，其特征在于，

包括在工序(c)之后由透明性電極膜被覆凸部的工序(f)。