[發(fā)明專利]導(dǎo)電性層疊體、等離子體顯示器用電磁波屏蔽膜以及等離子體顯示器用保護板

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680004730.2
• 申請日: 2006-02-16
• 公開（公告）號: CN101119842A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 森本保;川崎正人;平本誠;神田幸一;中釜晉
• 申請（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會社;旭硝子陶瓷株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;G09F9/00;H05K9/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 沙永生

1.導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，具有基體，以及從該基體側(cè)開始依次層疊有第1氧化物層、金屬層和第2氧化物層的3層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜或者重復(fù)該3層結(jié)構(gòu)的3×n層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜，n為2以上的整數(shù)，

上述第1氧化物層是以氧化物換算相對于第1氧化物層總質(zhì)量合計含有90質(zhì)量％以上的ZnO與TiO₂、或ZnO與Nb₂O₅的層，

上述金屬層是含有銀的層，

上述第2氧化物層為選自以下的1種：以氧化物換算，相對于第2氧化物層總質(zhì)量合計含有90質(zhì)量％以上的ZnO和Al₂O₃的層、相對于第2氧化物層總質(zhì)量合計含有90質(zhì)量％以上的ZnO和Ga₂O₃的層、相對于第2氧化物層總質(zhì)量合計含有90質(zhì)量％以上的In₂O₃和SnO₂的層、相對于第2氧化物層總質(zhì)量合計含有90質(zhì)量％以上的In₂O₃和CeO₂的層和相對于第2氧化物層總質(zhì)量含有90質(zhì)量％以上的SnO₂的層。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，上述導(dǎo)電膜由3×n層結(jié)構(gòu)形成，n為2～8的整數(shù)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，上述金屬層為由純銀形成的層，或者為由含有選自金和鉍的1種以上的銀合金形成的層。

4.如權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，上述金屬層為由銀合金形成的層，該銀合金中以金屬層中為0.2～1.5質(zhì)量％的含量含有選自金和鉍的1種以上的金屬。

5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，第2氧化物層為以氧化物換算相對于第2氧化物層總質(zhì)量合計含有90質(zhì)量％以上的ZnO和Al₂O₃的層，且在鋁和鋅的合計中鋁為1～10原子％。

6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，上述導(dǎo)電膜的表面上還具有保護膜。

7.如權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，上述保護膜為相對于保護膜總質(zhì)量合計含有90質(zhì)量％以上的In₂O₃和SnO₂的層。

8.等離子體顯示器用電磁波屏蔽膜，其特征在于，由權(quán)利要求1～7中任一項所述的導(dǎo)電性層疊體形成。

9.等離子體顯示器用保護板，其特征在于，具有支撐基體、設(shè)于該支撐基體上的權(quán)利要求8所述的等離子體顯示器用電磁波屏蔽膜、與該等離子體顯示器用電磁波屏蔽膜的導(dǎo)電膜電連接的電極。

10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示器用保護板，其特征在于，還具有導(dǎo)電性網(wǎng)狀膜。