[發明專利]浸沒液體、曝光裝置及曝光方法

有效

• 申請號: 200680004444.6
• 申請日: 2006-02-06
• 公開（公告）號: CN101128775A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 漢斯·詹森;馬克·凱爾特·斯坦溫哥;杰克布思·約翰納思·利昂納得斯·亨朱克思·沃斯貝;弗朗西斯克思·約翰內思·圣約瑟·詹森;安東尼·奎吉普
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王新華

1.一種裝置制造方法，包括：

(i)將一成分加入液體，所述成分具有大于0.1kPa的蒸汽壓力；

(ii)使感光襯底暴露于輻射線，其中：在到達所述感光襯底前，所述輻射線已穿過包括所述成分的所述水成液；

其中：所述成分的所述加入步驟增加了所述液體中的離子濃度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：所述成分具有大于水的蒸汽壓力。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中：所述成分降低了所述液體的pH值。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中：所述成分升高了所述液體的pH值。

5.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：所述成分具有至少1kPa的蒸汽壓力。

6.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：相對于所述液體的總重量，所述液體包括至少90wt％的水。

7.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：相對于所述液體的總重量，所述液體包括至少99.9wt％的水。

8.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：所述成分在20℃和大氣壓時是氣體。

9.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：包含所述成分的所述液體具有在4.5-6.0范圍的pH值。

10.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：所述成分是二氧化碳或氨。

11.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：包含所述成分的所述液體實質是具有低于2.0kPa的缺少成分。

12.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：所述襯底是涂敷有抗蝕劑層的半導體晶片。

13.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：所述輻射線是波長范圍在175nm-375nm內的UV輻射線。

14.根據前述權利要求的任一項的方法，還包括：在所述輻射線穿過包含所述成分的所述液體前，使所述輻射線穿過透鏡陣列。

15.根據前述權利要求的任一項的方法，還包括：在所述輻射線穿過包含所述成分的所述液體前，使所述輻射線形成圖案。

16.根據權利要求15所述的方法，其中：所述構圖步驟利用掩膜或單獨的可編程元件陣列來實現。

17.根據前述權利要求的任一項的方法，其中：在所述曝光期間，所述感光襯底停留在襯底臺上，所述襯底臺包括傳感器，所述傳感器包括氮化鈦和/或金屬。

18.根據前述權利要求的任一項的方法，包括：將具有0.1kPa的蒸汽壓力的至少兩個成分加入所述液體。

19.利用前述權利要求的任一項的方法制造的裝置。

20.根據權利要求19所述的裝置，其中：所述裝置是集成電路。

21.一種裝置制造方法，包括：

(i)將酸或基劑加入液體，所述酸或基劑具有至少0.1kPa的蒸汽壓力；

(ii)使感光襯底暴露于輻射線，其中：在到達所述感光襯底前，所述輻射線已穿過包括所述成分的所述液體。

22.根據權利要求21所述的方法，包括：將酸加到所述液體。

23.根據權利要求21所述的方法，包括：將基劑加到所述液體。

24.一種裝置制造方法，包括：

(i)使輻射束形成圖案；

(ii)使形成圖案的輻射束穿過液體，所述液體包括由蒸汽壓力大于0.1kPa的成分形成的離子；所述水成液的電導率至少為0.25μS/cm(如在25℃時確定)；和

(iii)使感光襯底暴露于形成圖案的輻射束。

25.一種浸沒式光刻系統，包括：

(i)浸沒式光刻曝光裝置；和

(ii)浸沒液體，其具有在1.3-100μS/cm范圍(如在25℃時確定)內的電導率。

26.根據權利要求25所述的系統，其中：所述電導率至少為5μS/cm。