[發(fā)明專利]基于氧化鉛的光敏設(shè)備及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680004364.0
• 申請日: 2006-01-26
• 公開（公告）號: CN101116189A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·西蒙;D·U·韋徹特;C·菲爾德曼
• 申請（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;H01L31/032;C01G21/06;H01L31/09
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李靜嵐;劉紅

1.一種用于制造具有光敏層(6)的光響應(yīng)設(shè)備的方法，其中該方法包括以下步驟：

a)在抽空的蒸發(fā)室內(nèi)部提供干凈的襯底(2)；

b)從第一坩堝中蒸發(fā)氧化鉛(Pb0)以在襯底的表面上形成籽晶層(8)；

c)使籽晶層感光，使得僅僅四方晶系氧化鉛形成籽晶層和/或使得將形成籽晶層的最初生長的斜方晶系的氧化鉛變換成四方晶系的氧化鉛；以及

d)繼續(xù)蒸發(fā)氧化鉛，直到已經(jīng)將最終厚度的光敏層(6)沉積到襯底上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

在籽晶層(8)的形成過程中共同蒸發(fā)添加劑，其中該添加劑防止形成斜方晶系的氧化鉛。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

利用第二坩堝來共同蒸發(fā)該添加劑，其中第一和第二坩堝是允許單獨地控制蒸發(fā)過程的分離的坩堝。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

在籽晶層(8)的形成過程中共同蒸發(fā)PbF₂來防止在籽晶層中形成斜方晶系的氧化鉛。

5.根據(jù)權(quán)利要求2的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

從下面的組中選擇添加劑，所述組包括KI、RbNO₃、TlI、H₂O、HF、NH₄F、H₂S。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

在籽晶層的生長過程中使光輻照到該籽晶層上以防止在籽晶層中形成斜方晶系的氧化鉛。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

使光輻照通過襯底(2)用以將籽晶層(8)中的斜方晶系的氧化鉛變換為四方晶系的氧化鉛，其中該襯底對于所述光的波長是透明的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

對沉積在襯底(2)上的完成的氧化鉛進行加溫退火，用以將籽晶層(8)中的斜方晶系的氧化鉛變換為四方晶系的氧化鉛。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造光響應(yīng)設(shè)備的方法，其特征在于，

將機械壓力施加于籽晶層(8)上用以將籽晶層中的斜方晶系的氧化鉛變換為四方晶系的氧化鉛。

10.一種光響應(yīng)設(shè)備，其包括夾在接觸電極(3，6)之間的氧化鉛(Pb0)的光敏層(6)，其特征在于，

該光敏氧化鉛層(6)完全由四方晶系的氧化鉛組成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的光響應(yīng)設(shè)備，其特征在于，

接觸電極(3，9)包括透射輻射的上部電極(9)，其中該上部電極透射將要在光敏層(6)中被檢測的輻射。

12.根據(jù)權(quán)利要求10的光響應(yīng)設(shè)備，其特征在于，

接觸電極(3，9)包括結(jié)構(gòu)化的下部電極(3)，來提供在光敏層(6)中檢測到的輻射的空間分辨率。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的光響應(yīng)設(shè)備，其特征在于，

所述下部電極(3)具有像素一樣的結(jié)構(gòu)。