[發明專利]半導體發光元件及其制法

有效

• 申請號: 200680004342.4
• 申請日: 2006-02-07
• 公開（公告）號: CN101116192A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 酒井光彥;山口敦司;中原健;園部雅之;筒井毅
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體發光元件，其特征在于，包括：

基板；

半導體疊層部，其由氮化物半導體構成，包括第一導電型層和第二導電型層，設置在所述基板上；

第一電極，其與該半導體疊層部表面側的所述第一導電型層電連接地設置；和

第二電極，其與所述第二導電型層電連接地設置，并且，

對所述半導體疊層部的一部分進行蝕刻，使得至少在芯片的周圍，所述第二導電型層露出，由此形成所述半導體疊層部的臺面結構部，并在該臺面結構部的周圍形成所述半導體疊層部以柱狀林立殘留的柱狀部。

2.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于：

所述柱狀部的高度為0.5～5μm的高度。

3.如權利要求1或2所述的半導體發光元件，其特征在于：

所述柱狀部為相鄰列錯開半個間距配置的結構。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于：

所述臺面結構部的側壁與所述柱狀部的間隔至少設在0.5μm以上。

5.如權利要求1～4中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于：

所述半導體疊層部在所述第一導電型層與第二導電型層之間具有活性層，通過對所述柱狀部的頂部進行蝕刻，使所述柱狀部的高度低于所述活性層的位置。

6.如權利要求1～5中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于：

所述基板由絕緣性基板構成，通過蝕刻除去所述半導體疊層部的一部分，使所述第二導電型層露出，在該露出的第二導電型層的表面上設置有所述第二電極，在該第二電極的周圍以林立狀形成有所述柱狀部。

7.如權利要求1～5中任一項所述的半導體發光元件，其特征在于：

所述基板由半導體基板構成，在該半導體基板的背面形成有所述第二電極。

8.一種氮化物半導體發光元件的制法，其特征在于：

在晶片狀的基板表面疊層氮化物半導體層，以形成發光層，從而形成半導體疊層部，通過分割形成有該半導體疊層部的晶片狀基板，進行芯片化，形成發光元件芯片，

以柱狀半導體疊層部構成的柱狀部林立殘留的方式形成掩模，對將所述晶片狀基板分割為芯片的部分的所述半導體疊層部進行蝕刻，直至所述基板側的導電型半導體層露出，由此在由半導體疊層部構成的臺面結構部的周圍形成柱狀部，然后在該柱狀部的部分分割所述基板。

9.如權利要求6所述的氮化物半導體發光元件的制法，其特征在于：

以n型層、活性層和p型層的雙異質結構形成所述半導體疊層部，對所述柱狀部的頂部進一步進行蝕刻，使得所述柱狀部的高度低于所述活性層的位置。