[發(fā)明專利]薄膜的疊層結(jié)構(gòu)、其形成方法、成膜裝置和存儲介質(zhì)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680004339.2
• 申請日: 2006-01-30
• 公開（公告）號: CN101115864A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉井直樹;小島康彥;佐藤浩
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，在能夠抽真空的處理容器內(nèi)在被處理體的表面上堆積多層薄膜而形成薄膜的疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，將以下工序分別交替進(jìn)行1次以上：

使用含有作為合金種的第一金屬的原料氣體和還原氣體，形成由第一金屬構(gòu)成的合金種膜的合金種膜形成工序；和使用含有與所述第一金屬不同的作為母材的第二金屬的原料氣體和還原氣體，形成比所述合金種膜厚的由第二金屬構(gòu)成的母材膜的母材膜形成工序。??

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

在所述合金種膜形成工序中，進(jìn)行間歇成膜法和連續(xù)成膜法中的任一種成膜方法，所述間歇成膜法將含有所述第一金屬的原料氣體和還原氣體交替地在不同的定時、間歇地供給到所述處理容器內(nèi)而進(jìn)行成膜，所述連續(xù)成膜法將含有第一金屬的原料氣體和還原氣體同時供給到所述處理容器內(nèi)而連續(xù)進(jìn)行成膜。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

在所述母材膜形成工序中，進(jìn)行間歇成膜法和連續(xù)成膜法中的任一種成膜方法，所述間歇成膜法將含有所述第二金屬的原料氣體和還原氣體交替地在不同的定時、間歇地供給到所述處理容器內(nèi)而進(jìn)行成膜，所述連續(xù)成膜法將含有第二金屬的原料氣體和還原氣體同時供給到所述處理容器內(nèi)而連續(xù)進(jìn)行成膜。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

在將所述合金種膜形成工序和所述母材膜形成工序分別交替地進(jìn)行1次以上之后，進(jìn)行將所述被處理體加熱到規(guī)定溫度的退火工序。

5.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

在同一處理容器內(nèi)進(jìn)行所述合金種膜形成工序和所述母材膜形成工序。

6.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

交替地在不同的處理容器內(nèi)進(jìn)行所述合金種膜形成工序和所述母材膜形成工序。

7.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

所述合金種膜的1層的厚度為1～200的范圍內(nèi)，所述母材膜的1層的厚度為5～500的范圍內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

所述第一金屬為選自Ti、Sn、W、Ta、Mg、In、Al、Ag、Co、Nb、B、V、Mn中的1種金屬。

9.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

所述第二金屬為選自Cu、Ag、Au、W中的1種金屬。

10.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于：

所述還原氣體為選自H₂、NH₃、N₂、N₂H₄[肼]、NH(CH₃)₂[乙胺]、N₂H₃CH[甲基二氮烯]、N₂H₃CH₃[甲肼]中的1種以上的氣體。

11.一種薄膜的疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于：

在形成于被處理體表面上的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)中，將使用含有作為合金種的第一金屬的原料氣體和還原氣體形成的、由第一金屬構(gòu)成的合金種膜，和使用含有與所述第一金屬不同的作為母材的第二金屬的原料氣體和還原氣體形成的、比所述合金種膜厚的由第二金屬構(gòu)成的母材膜，分別交替地疊層1層以上。

12.如權(quán)利要求11所述的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述合金種膜的1層的厚度為1～200的范圍內(nèi)，所述母材膜的1層的厚度為5～500的范圍內(nèi)。