[發明專利]金屬圖形形成方法、金屬圖形、印刷引線板及TFT引線板無效
| 申請號: | 200680004329.9 | 申請日: | 2006-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN101120621A | 公開(公告)日: | 2008-02-06 |
| 發明(設計)人: | 松本和彥;川村浩一;加納丈嘉 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H05K3/18 | 分類號: | H05K3/18 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳曦 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 圖形 形成 方法 印刷 引線 tft | ||
1.一種金屬圖形形成方法,其特征在于包括:
(a)以圖形形式在基板上形成含有聚合物的聚合物層,該聚合物具有與無電鍍催化劑或其前體反應并能夠直接化學鍵合到基板上的官能團;
(b)將無電鍍催化劑或其前體施加到聚合物層上;和
(c)通過使用無電鍍溶液對具有聚合物層的基板進行無電鍍形成圖形形式的金屬膜,
其中,在(c)形成金屬膜之前或期間,使用包括表面電荷改進劑或者1×10-10至1×10-4mmol/1的電鍍催化抑制劑的溶液處理具有聚合物層被施加有無電鍍催化劑或其前體的基板;
當所述電鍍催化抑制劑被使用時,或者(i)包括1×10-10至1×10-4mmol/1的電鍍催化抑制劑的所述溶液是無電鍍溶液,或者(ii)所述方法進一步包括添加電鍍催化抑制劑至無電鍍溶液以使在所述無電鍍溶液中的所述電鍍催化抑制劑的濃度保持在1×10-10至1×10-4mmol/1的范圍,從而使所述無電鍍溶液作為包含1×10-10至1×10-4mmol/1的電鍍催化抑制劑的溶液進行使用。
2.如權利要求1所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:無電鍍溶液包括表面電荷改進劑。
3.如權利要求1所述的金屬圖形形成方法,其特征在于(c)形成金屬膜的步驟包括:
(c-2)用含有表面電荷改進劑的槽處理具有聚合物層的基板;和
(c-3)對具有聚合物層的基板進行無電鍍,以便形成圖形形式的金屬膜。
4.如權利要求2所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:表面電荷改進劑是有機化合物,在其分子中具有(i)與基板具有親合力的基團和(ii)離子離去基團。
5.如權利要求3所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:表面電荷改進劑是有機化合物,在其分子中具有(i)與基板具有親合力的基團和(ii)離子離去基團。
6.如權利要求1所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:無電鍍溶液是包括1×10-10至1×10-4mmol/1的電鍍催化抑制劑的溶液。
7.如權利要求1所述的金屬圖形形成方法,其特征在于(c)形成金屬膜包括:
(c-2’)對具有聚合物層的基板進行無電鍍,同時將電鍍催化抑制劑添加到無電鍍溶液中,使無電鍍溶液中電鍍催化抑制劑的濃度保持在1×10-10至1×10-4mmol/1的范圍內,從而使所述無電鍍溶液作為包含1×10-10至1×10-4mmol/1的電鍍催化抑制劑的溶液進行使用,以便形成圖形形式的金屬膜。
8.如權利要求6所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:電鍍催化抑制劑是一種金屬離子,該金屬選自由Pb、Sn、As、Sb、Bi、Cr、Mo、Cd、In、Ti、W、Nb和Ti構成的組。
9.如權利要求7所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:電鍍催化抑制劑是一種金屬離子,該金屬選自由Pb、Sn、As、Sb、Bi、Cr、Mo、Cd、In、Ti、W、Nb和Ti構成的組。
10.如權利要求6所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:電鍍催化抑制劑是選自由碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子構成的組中的至少一種無機陰離子。
11.如權利要求6所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:電鍍催化抑制劑是選自由碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子構成的組中的一種無機陰離子。
12.如權利要求7所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:電鍍催化抑制劑是選自由碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子構成的組中的至少一種無機陰離子。
13.如權利要求7所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:電鍍催化抑制劑是選自由碘陰離子、溴陰離子和硫陰離子構成的組中的一種無機陰離子。
14.如權利要求6所述的金屬圖形形成方法,其特征在于:電鍍催化抑制劑是有機化合物,在其分子中具有和電鍍金屬有親和力的基團。
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