[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680004323.1
• 申請(qǐng)日: 2006-02-07
• 公開（公告）號(hào): CN101584047A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 拉亞·夏爾馬;保羅·摩根·帕蒂森;約翰·F·克丁;中村修二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)
• 主分類號(hào): H01L29/22
• 分類號(hào): H01L29/22;H01L33/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王允方;劉國偉

1.一種制作半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其包含：

在織構(gòu)化表面上沉積含銦(In)發(fā)光層以及后續(xù)裝置層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積步驟包含：

(1)在襯底上沉積氮化鎵(GaN)成核層；

(2)在所述成核層上沉積非有意摻雜(UID)的GaN模板層；

(3)在所述模板層上沉積n型導(dǎo)電GaN層；

(4)蝕刻所述沉積的GaN層以形成所述織構(gòu)化表面；

(5)在所述織構(gòu)化表面上再生長所述n型導(dǎo)電GaN層；以及

(6)在所述再生長的n型導(dǎo)電GaN層上沉積所述含銦發(fā)光層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述在所述再生長的n型導(dǎo)電GaN層上沉積所述含銦發(fā)光層的步驟(6)進(jìn)一步包含：

(i)在所述再生長的n型導(dǎo)電GaN層上沉積(Al，In，Ga)N量子阱層；以及

(ii)在所述(Al，In，Ga)N量子阱層上沉積(Al，In，Ga)N阻擋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包含重復(fù)所述沉積步驟(i)和沉積步驟(ii)以獲得多個(gè)量子阱和阻擋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中依據(jù)所述織構(gòu)化表面上的位置而定，將不同分?jǐn)?shù)的銦并入到所述(In，Ga)N層中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含對(duì)所述表面進(jìn)行選擇性織構(gòu)化。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述織構(gòu)化表面是部分織構(gòu)化表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包含控制所述表面的織構(gòu)化區(qū)域與所述表面的非織構(gòu)化區(qū)域的比率。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包含控制所述織構(gòu)化表面的圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包含控制所述織構(gòu)化表面的尺寸。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述織構(gòu)化表面的不同圖案和深度產(chǎn)生不同發(fā)射結(jié)果。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述裝置包含無磷光體的白光光源。

13.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法制造的裝置。

14.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其包含沉積在織構(gòu)化表面上的含銦(In)發(fā)光層以及后續(xù)的裝置層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其進(jìn)一步包含：

(1)沉積在襯底上的氮化鎵(GaN)成核層；

(2)沉積在所述成核層上的非有意摻雜(UID)的GaN模板層；

(3)沉積在所述模板層上的n型導(dǎo)電GaN層；

(4)通過蝕刻所述沉積的GaN層而形成的所述織構(gòu)化表面；

(5)在所述織構(gòu)化表面上再生長的所述n型導(dǎo)電GaN層；以及

(6)沉積在所述再生長的n型導(dǎo)電GaN層上的所述含銦發(fā)光層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中沉積在所述再生長的n型導(dǎo)電GaN層上的所述含銦發(fā)光層進(jìn)一步包含：

(i)沉積在所述再生長的n型導(dǎo)電GaN層上的(Al，In，Ga)N量子阱層；以及

(ii)沉積在所述(Al，In，Ga)N量子阱層上的(Al，In，Ga)N阻擋層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進(jìn)一步包含多個(gè)量子阱和阻擋層。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中依據(jù)所述織構(gòu)化表面上的位置而定，將不同分?jǐn)?shù)的銦并入到所述(In，Ga)N層中。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述表面被選擇性織構(gòu)化。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中所述織構(gòu)化表面是部分織構(gòu)化表面。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中所述表面的織構(gòu)化區(qū)域與所述表面的非織構(gòu)化區(qū)域的比率受到控制。

22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中織構(gòu)化表面的圖案受到控制。

23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中所述織構(gòu)化表面的尺寸受到控制。