[發明專利]硅的精煉方法無效
| 申請號： | 200680004118.5 | 申請日： | 2006-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN101115681A | 公開（公告）日： | 2008-01-30 |
| 發明（設計）人： | 德丸慎司;岡澤健介;近藤次郎;岡島正樹 | 申請（專利權）人： | 新日鐵高新材料株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 精煉 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Si精煉方法，是通過將SiO2、和堿金屬氧化物或堿金屬碳酸鹽作為爐渣原料、添加到反應容器中的熔融的Si中，使其形成爐渣，使該熔融Si中的雜質向爐渣中轉移而進行去除的方法，其特征在于，將使用的反應容器所含有的成分的至少一種添加到所述爐渣中。
2.根據權利要求1所述的Si精煉方法，其特征在于，將與所述反應容器所含有的成分相同的成分添加到所述爐渣中。
3.根據權利要求1或2所述的Si精煉方法，其特征在于，所述反應容器的成分是選自Al2O3、MgO、CaO、ZrO2之中的至少一種。
4.根據權利要求1～3的任一項所述的Si精煉方法，其特征在于，添加到所述爐渣中的成分是至少含有5質量％的SiO2的硅酸鹽。
5.根據權利要求1～4的任一項所述的Si精煉方法，其特征在于，添加到所述爐渣中的成分的量，相對于爐渣原料為0.1～20質量％。
6.根據權利要求1～4的任一項所述的Si精煉方法，其特征在于，添加到所述爐渣中的成分的形狀為粒狀或纖維狀。
7.根據權利要求6所述的Si精煉方法，其特征在于，所述粒狀成分的粒徑為0.01～10mm。
8.根據權利要求6所述的Si精煉方法，其特征在于，所述纖維狀成分的直徑為0.01～10mm、纖維長度為10～500mm。
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