[發明專利]具有離子束跳動回復的快速離子束偏轉的晶圓掃描離子布植機

有效

• 申請號: 200680004113.2
• 申請日: 2006-02-03
• 公開（公告）號: CN101218658A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 羅素·J·羅;郭登·C·安裘
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/147;H01J37/304
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 左一平

1.一種離子布植機，包含：

離子束的來源，具有沿離子束路徑行進且在布植操作過程中靜止的末端離子束部分；

目標臺，操作以在所述布植操作過程中越過所述離子束的所述靜止的末端離子束部分掃描半導體晶圓；

離子束偏轉裝置，操作以(1)回應于第一操作條件的第一離子束偏轉電壓而將所述離子束導向所述離子束路徑上，以使得所述末端離子束部分撞擊所述半導體晶圓，且(2)回應于第二操作條件的第二離子束偏轉電壓而將所述離子束導離所述離子束路徑，以使得所述末端離子束部分不撞擊所述半導體晶圓；以及

離子束控制電路，在所述第二操作條件過程中操作以借由自所述第二離子束偏轉電壓快速地切換為所述第一離子束偏轉電壓而轉變所述離子布植機為所述第一操作條件。

2.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，還包含分析器，所述分析器操作以空間地分離所述離子束的來源離子束部分中的種類以產生所述離子束的所述末端離子束部分，所述分析器包括解析開口，在所述第一操作條件中自所述解析開口發出所述末端離子束部分，且其中所述離子束偏轉裝置與所述分析器的所述解析開口相鄰且操作以(1)回應于所述第一離子束偏轉電壓而將所述來源離子束部分的已分離的所述種類導向所述解析開口，以使得存在所述末端離子束部分且基本上由所要的所述種類組成，且(2)回應于所述第二離子束偏轉電壓而將所述來源離子束部分的已分離的所述種類導離所述解析開口，以使得所述末端離子束部分實質上是熄滅的。

3.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，在所述第一操作條件過程中操作所述離子束控制電路以借由自第一值快速地切換所述離子束偏轉電壓為第二值而轉變所述離子布植機為所述第二操作條件。

4.如權利要求3所述的離子布植機，其特征在于，所述離子束控制電路包括跳動檢測電路，操作以檢測潛在地影響所述離子束的品質的跳動，且其中回應于所述跳動的檢測而發生所述離子束偏轉電壓自所述第一值至所述第二值的切換。

5.如權利要求4所述的離子布植機，其特征在于，所述跳動檢測電路包括電源監控電路，檢測作為所述離子布植機內部的一個或多個電源的操作參數的突然變化的所述跳動。

6.如權利要求5所述的離子布植機，其特征在于，所述電源包括來源抑制電源以及減速電源。

7.如權利要求4所述的離子布植機，其特征在于，所述跳動檢測電路包括所述目標臺中的操作以接收所述離子束的一部分的Faraday杯。

8.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，所述離子束偏轉裝置包含一對間隔導電板。

9.如權利要求8所述的離子布植機，其特征在于，所述間隔導電板的第一者連接至固定電位，且所述間隔導電板的第二者耦接至操作以供應相對于所述固定電位的所述離子束偏轉電壓的第一值以及第二值的開關。

10.如權利要求8所述的離子布植機，其特征在于，所述離子束偏轉電壓的所述第一值等于所述固定電位，且所述離子束偏轉電壓的所述第二值是相對于所述固定電位的負電位。

11.如權利要求8所述的離子布植機，其特征在于，所述間隔導電板的每一者借由個別開關耦接至兩個電源的個別一者，所述電源具有相反極性以使得所述離子束偏轉電壓是所述電源的量值的總和。

12.如權利要求8所述的離子布植機，其特征在于，所述間隔導電板是平面的且實質上相互平行。

13.如權利要求8所述的離子布植機，其特征在于，所述間隔導電板是平面的且稍傾斜于平行狀態以使得在接近所述解析開口的末端處更緊密地間隔。

14.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，所述末端離子束部分在所述目標臺中的所述半導體晶圓的位置處具有實質上越過所述半導體晶圓延伸的平整橫截面，且其中所述目標臺操作以僅沿垂直于所述離子束的所述平整橫截面的第一軸掃描所述半導體晶圓。

15.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，所述末端離子束部分在所述目標臺中的所述半導體晶圓的位置處具有實質上圓形的橫截面，且其中所述目標臺操作以沿相互垂直且垂直于所述末端離子束部分的軸的第一軸以及第二軸掃描所述晶圓。