[發明專利]催化劑材料及其制備方法

無效

• 申請號: 200680003828.6
• 申請日: 2006-02-03
• 公開（公告）號: CN101111315A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 湯淺真;小柳津研一;山口有朋;一貫田浩志;田中健;井合雄一;山本昌邦;木戶茂;錦織英孝;永見哲夫;巖田奈緒子
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: B01J31/22
• 分類號: B01J31/22;B01J37/02;H01M4/88;H01M4/90
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 林柏楠;劉金輝

1.一種催化劑材料，包含涂有多核絡合物分子的導電材料和與該多核絡合物分子的涂層配位的催化劑金屬，所述多核絡合物分子衍生自至少兩種雜單環化合物。

2.根據權利要求1的催化劑材料，其中所述催化劑金屬是貴金屬和過渡金屬的復合物。

3.一種催化劑材料，包含涂有多核絡合物分子的導電材料和與該多核絡合物分子的涂層配位的催化劑金屬，所述多核絡合物分子衍生自雜單環化合物，所述催化劑金屬是貴金屬和過渡金屬的復合物。

4.根據權利要求1至3任一項的催化劑材料，其中所述雜單環化合物選自各自具有吡咯、二甲基吡咯、吡咯-2-甲醛、吡咯-2-醇、乙烯基吡啶、氨基苯甲酸、苯胺或噻吩作為基本骨架的單環化合物。

5.根據權利要求1至4任一項的催化劑材料，其中所述多核絡合物分子是聚吡咯絡合物、聚乙烯基吡啶絡合物、聚苯胺絡合物或聚噻吩絡合物。

6.根據權利要求1至5任一項的催化劑材料，其中所述衍生自雜單環化合物的多核絡合物分子是通過使所述雜單環化合物經過電化學聚合而獲得的。

7.根據權利要求2至6任一項的催化劑材料，其中所述貴金屬是選自由鈀(Pd)、銥(Ir)、銠(Rh)和鉑(Pt)組成的組的一種或多種；所述過渡金屬是選自由鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)和鉻(Cr)組成的組的一種或多種。

8.根據權利要求2至7任一項的催化劑材料，其中所述貴金屬是銥(Ir)，所述過渡金屬是鈷(Co)。

9.根據權利要求2至7任一項的催化劑材料，其中所述貴金屬是銠(Rh)，所述過渡金屬是鈷(Co)。

10.根據權利要求2至7任一項的催化劑材料，其中所述貴金屬是鈀(Pd)，所述過渡金屬是鈷(Co)。

11.根據權利要求1至10任一項的催化劑材料，其中低分子量雜環化合物作為輔助配體與所述催化劑金屬配位。

12.根據權利要求11的催化劑材料，其中所述低分子量雜環化合物是吡啶和/或菲咯啉。

13.根據權利要求2至12任一項的催化劑材料，其中所述貴金屬在包含復合催化劑金屬的催化劑材料中的含量為20至60重量％。

14.根據權利要求2至13任一項的催化劑材料，其中將包含復合催化劑金屬的催化劑材料進一步熱處理。

15.根據權利要求2至14任一項的催化劑材料，其中包含復合催化劑金屬的催化劑材料的原料是高度純化的。

16.根據權利要求1至15任一項的催化劑材料，其中所述導電材料選自金屬、半導體、碳基化合物、和導電聚合物。

17.根據權利要求1至16任一項的催化劑材料，其進一步包含第二金屬和/或其離子。

18.根據權利要求1至17任一項的催化劑材料，其被陰離子摻雜。

19.根據權利要求1至18任一項的催化劑材料，其是粒狀、纖維狀、中空的或細粒角狀材料。

20.制備催化劑材料的方法，包括用衍生自至少兩種雜單環化合物的多核絡合物分子涂覆導電材料表面的步驟，和使催化劑金屬與該多核絡合物分子涂層配位的步驟。

21.制備催化劑材料的方法，包括使催化劑金屬與至少兩種雜單環化合物配位的步驟和用衍生自所述至少兩種雜單環化合物的多核絡合物分子涂覆導電材料表面的步驟。

22.根據權利要求20或21的制備催化劑材料的方法，其中所述催化劑材料是貴金屬和過渡金屬的復合物。

23.制備催化劑材料的方法，包括用衍生自雜單環化合物的多核絡合物分子涂覆導電材料表面的步驟，和使催化劑金屬與該多核絡合物分子涂層配位的步驟，所述催化劑金屬是貴金屬和過渡金屬的復合物。

24.制備催化劑材料的方法，包括使催化劑金屬與雜單環化合物配位的步驟和用所述衍生自雜單環化合物的多核絡合物分子涂覆導電材料表面的步驟，所述催化劑金屬是貴金屬和過渡金屬的復合物。