[發明專利]垂直磁性記錄介質,該介質的制造過程以及垂直磁性記錄和再現裝置有效
| 申請號: | 200680003467.5 | 申請日: | 2006-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN101111889A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發明(設計)人: | 高橋研;岡正裕;喜喜津哲 | 申請(專利權)人: | 國立大學法人東北大學;昭和電工株式會社;株式會社東芝 |
| 主分類號: | G11B5/667 | 分類號: | G11B5/667;G11B5/738;G11B5/82;G11B5/84;G11B5/852;H01F10/26 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 楊曉光;李崢 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 磁性 記錄 介質 制造 過程 以及 再現 裝置 | ||
相關申請的交叉引用
要求2005年2月1日申請的日本專利申請2005-24946的優先權。本申請是根據35?U.S.C.§111(a)提交的申請,并根據35?U.S.C.§119(e)要求獲得按照35?U.S.C.§111(b)于2005年2月8日提交的臨時申請60/650,534的申請日。
技術領域
本發明涉及垂直磁性記錄介質、制造這種介質的方法以及利用該垂直磁性記錄介質的磁性記錄和再現裝置。
背景技術
在垂直磁性記錄方法中,沿著垂直于該介質的方向排列磁性記錄層的易磁化軸,而在常規介質中是在該介質平面內排列磁性記錄層的易磁化軸;因此,減少了磁化翻轉區域附近中的去磁場,該去磁場是所記錄的數據位之間的邊界,使得記錄密度提高,所記錄的狀態在磁靜力方面更加穩定,并且對熱波動的抵抗力提高;因此,本發明適用于提高面密度。
當在基底與垂直磁性記錄層之間提供包括軟磁性材料的軟磁性底層時,就獲得了所謂的垂直雙層介質的功能,并且能夠獲得極好的記錄性能。這時,該軟磁性底層用于為磁頭的記錄磁場提供返回路徑,并且能夠提高記錄和再現效率。
一般而言,垂直磁性記錄介質配置有在基底上提供的軟磁性底層,在該基底上按順序形成軟磁性底層、包括Co合金的垂直磁性記錄層以及保護層,該軟磁性底層將磁性層的易磁化軸定向為垂直于基底平面。然而,近年來,逐漸認識到WATE(寬區域磁道擦除或者寬相鄰磁道擦除)現象在垂直磁性記錄介質中是一個嚴重問題。該WATE現象特別對于垂直磁性記錄介質而言是一個嚴重的問題,并且在該現象中,當在特定磁道中記錄信號時,在從所記錄的磁道延伸幾個微米的寬區域上使信號去磁化。已經提出的用于消除這個問題的方法主要是通過軟磁性底層的結構或者磁各向異性(例如參見專利文獻1)。
還提出了,使軟磁性底層的易磁化軸方向尤其沿著基底徑向排列,是針對以上問題特別有效的手段。為了實現這種磁性結構,提出了以下方法;
1)沿著徑向在磁場下沉積軟磁性底層
2)疊置軟磁性層和反鐵磁性膜作為軟磁性底層(參見例如專利文獻2和專利文獻3)。
使軟磁性底層的易磁化軸沿徑向排列的一般方法是在磁電管的磁場下沉積軟磁性底層,該磁電管生成徑向磁通量并且與基底同心放置。本方法對于小基底無效,特別是對于直徑為26mm或者22mm的市售基底。當將薄膜同時沉積到多個小基底上時,在均勻磁場下的沉積困難,并且因此該軟磁性底層的易磁化軸指向不同方向。
專利文獻1:日本待審專利申請,首次公開No.S58-166531
專利文獻2:日本待審專利申請,首次公開No.H06-103553
專利文獻3:US?2002/0028357
此外,磁場中的薄膜沉積必然存在以下問題。
(1)難以控制磁場在整個徑向上均勻。
(2)基底內邊緣部分中的磁場較小。
隨著未來介質尺寸不斷增大,可以預料到(2)將成為嚴重的問題。
針對這個問題還提出了在磁場下的熱處理過程,包括在軟磁性底層中疊置MnIr反鐵磁性層。然而,這個過程需要較高的溫度,并且造成軟磁性底層和垂直磁性記錄層磁性能的退化。當使用沿著徑向進行了均勻磁化的軟磁性底層時,讀寫特性降低,特別是SNR(信噪比)降低。
本發明是考慮到以上的情況而提出的,并且其基于對軟磁性底層中磁各向異性作用的重新分析,目的在于提供能夠以高密度記錄并再現信息的垂直磁性記錄介質,以及用于這種介質的方法和磁記錄及再現裝置。
發明內容
為了解決以上問題,提供了以下發明:
(1)一種垂直磁性記錄介質,包括盤形非磁性基底、位于盤形非磁性基底上的軟磁性底層以及垂直磁性記錄層,該軟磁性底層包括至少兩個軟磁性層和位于該兩個軟磁性層之間的Ru或Re層;其中,該軟磁性底層的易磁化軸具有希望的方向,并且基本上沿著除了非磁性基底的徑向之外的方向分布,并且沿著該軟磁性底層的易磁化軸方向反鐵磁性耦合的偏磁場為10奧斯特(790A/m)或更大。
(2)根據(1)的垂直磁性記錄介質,其中該易磁化軸與非磁性基底的徑向成夾角θ,并且其中5°<θ<90°的部分的面積占整個軟磁性底層的面積的90%或更大。
(3)根據(2)的垂直磁性記錄介質,其中5°<θ<85°的部分的面積占整個軟磁性底層的面積的95%或更大。
(4)根據(2)的垂直磁性記錄介質,其中該易磁化軸沿著相同方向平行分布。
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