[發(fā)明專利]面發(fā)光激光元件、具有它的面發(fā)光激光陣列、電子照相系統(tǒng)和光通信系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680003458.6
• 申請日: 2006-11-27
• 公開（公告）號: CN101111385A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設計）人: 軸谷直人;佐藤俊一
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: B41J2/44
• 分類號: B41J2/44;H01S5/183
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗;錢大勇

1.一種面發(fā)光激光元件，包括：

活性層；

諧振器隔離層，被設置在活性層的兩側；

反射層，被設置在諧振器隔離層的兩側，反射在所述活性層中振蕩的振蕩光；以及

選擇氧化層，被設置在所述反射層中的第一位置和所述反射層中的第二位置之間，所述反射層中的第一位置與所述振蕩光的電場的駐波分布的節(jié)對應，所述反射層中的第二位置在與所述活性層側相反方向上，與對應于所述駐波分布的節(jié)的第一位置相鄰接，并且與所述駐波分布的腹對應。

2.如權利要求1所述的面發(fā)光激光元件，

所述選擇氧化層被設置在所述第一位置、和所述第一位置和所述第二位置間的中點之間。

3.如權利要求1所述的面發(fā)光激光元件，

所述選擇氧化層被設置在所述第一位置和所述第二位置的大致中點。

4.如權利要求1所述的面發(fā)光激光元件，

所述反射層由交替地層積了具有第一折射率的第一層、和具有比所述第一折射率大的第二折射率的第二層的結構構成，

所述選擇氧化層被設置在所述第一層中。

5.一種面發(fā)光激光元件，包括：

活性層；

諧振器隔離層，被設置在活性層的兩側；

反射層，被設置在諧振器隔離層的兩側，反射在所述活性層中振蕩的振蕩光；

電流狹窄層，限制對所述活性層注入電流時的所述反射層的區(qū)域；以及

抑制層，抑制在所述活性層中振蕩的高次模分量。

6.如權利要求5所述的面發(fā)光激光元件，

所述電流狹窄層和所述抑制層被設置在所述反射層中，

所述活性層和所述抑制層的距離與所述活性層和所述電流狹窄層的距離相等。

7.如權利要求5所述的面發(fā)光激光元件，

所述抑制層由第一選擇氧化層構成，所述第一選擇氧化層被設置在所述反射層中的第一位置和所述反射層中的第二位置之間，所述反射層中的第一位置與所述振蕩光的電場的駐波分布的節(jié)對應，所述反射層中的第二位置在與所述活性層側相反方向上，與對應于所述駐波分布的節(jié)的第一位置相鄰接，并且與所述駐波分布的腹對應，

所述電流狹窄層由與所述第一選擇氧化層不同的第二選擇氧化層構成，

所述活性層和所述第一選擇氧化層的距離比所述活性層和所述第二選擇氧化層的距離大。

8.如權利要求7所述的面發(fā)光激光元件，

所述第二選擇氧化層被設置在與所述振蕩光的電場的駐波分布的節(jié)對應的位置。

9.如權利要求7所述的面發(fā)光激光元件，

所述反射層包含：

第一反射層，被配置在所述活性層的一側，由n型的半導體構成；以及

第二反射層，相對于所述活性層被配置在與所述第一反射層相反側，由p型半導體構成，

所述第一選擇氧化層被配置在所述第一反射層中，

所述第二選擇氧化層被配置在所述第二反射層中。

10.如權利要求5所述的面發(fā)光激光元件，

還包括：半導體層，被設置在所述抑制層和所述電流狹窄層之間，用于對所述活性層注入所述電流，

所述抑制層由第一選擇氧化層構成，所述第一選擇氧化層被設置在所述反射層中的第一位置和所述反射層中的第二位置之間，所述反射層中的第一位置與所述振蕩光的電場的駐波分布的節(jié)對應，所述反射層中的第二位置在與所述活性層側相反方向上，與對應于所述駐波分布的節(jié)的第一位置相鄰接，并且與所述駐波分布的腹對應，

所述電流狹窄層由與所述第一選擇氧化層不同的第二選擇氧化層構成，

所述第一選擇氧化層和所述第二選擇氧化層相對于所述活性層被設置在與基板相反側，

所述第二選擇氧化層限制來自所述半導體層的電流而將其注入所述活性層，

所述活性層和所述第一選擇氧化層的距離比所述活性層和所述第二選擇氧化層的距離大。

11.如權利要求9所述的面發(fā)光激光元件，

所述第二選擇氧化層的非氧化區(qū)域的面積比所述第一選擇氧化層的非氧化區(qū)域的面積大。