[發明專利]具有新動態補償的標準CMOS低噪音高PSRR低漏失調整器

無效

• 申請號: 200680003351.1
• 申請日: 2006-01-09
• 公開（公告）號: CN101223488A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 哈菲茲·阿姆拉尼;于貝爾·科多尼耶;格扎維埃·拉拜林
• 申請（專利權）人: 愛特梅爾公司
• 主分類號: G05F1/40
• 分類號: G05F1/40;G05F1/44;G05F1/56;G05F1/565;G05F1/618
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方;劉國偉

1.一種電壓調整器電路，其包括：

第一放大器級，其具有第一放大器輸入端子、第一放大器輸出端子、反饋端子、極感應晶體管和耦合到所述輸出端子的補償網絡，所述補償網絡具有補償電容器和補償晶體管；

第二放大器級，其具有耦合到所述第一放大器輸出端子的第二放大器輸入端子，第一電流鏡、第二電流鏡，以及將第一電源電位耦合到輸出端子的傳輸晶體管，所述第一電流鏡傳導負載電流的由所述傳輸晶體管供應的部分，且所述第二電流鏡傳導所述電流的由所述第一電流鏡供應的部分；

傳導路徑，其將所述補償晶體管耦合到所述第一電流鏡；

傳導路徑，其將所述極感應晶體管耦合到所述第二電流鏡。

2.根據權利要求1所述的調整器電路，其中所述極感應晶體管是PMOS晶體管，其耦合到第一電源電位并引發等于負載電流的由所述調整器電路供應部分的電流進入所述第一放大器級中。

3.根據權利要求2所述的調整器電路，其中所述第一放大器輸入端子是輸入PMOS晶體管的柵極端子且所述反饋端子是反饋PMOS晶體管的柵極端子，所述輸入PMOS晶體管和所述反饋PMOS晶體管各自具有彼此耦合且耦合到所述極感應晶體管的漏極端子的源極端子。

4.根據權利要求2所述的調整器電路，其中所述補償晶體管是NMOS補償晶體管，其耦合到第二電源電位并在與所述補償電容器的串聯配置中作為電阻器而操作，所述NMOS補償晶體管的柵極端子具有取決于所述調整器電路供應的負載電流的電位。

5.一種對電壓調整器電路進行頻率補償的方法，所述電壓調整器電路具有第一級放大器和第二級放大器，所述方法包括：

改變所述調整器電路的開環系統轉移函數的單位增益頻率，使得所述單位增益頻率與所述電壓調整器電路供應的負載電流的平方根近似成比例地增加；

在所述第一級放大器的輸出處引入極-零雙重線，使得與所述極-零雙重線相關聯的頻率與所述負載電流的平方根近似成比例地增加，且使得所述極-零雙重線的分流比大體上不隨著所述負載電流而變化；以及

將第二極引入到所述第一級放大器的開環轉移函數中，使得所述第二極頻率與所述負載電流近似成比例。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述引入所述極-零雙重線的步驟包括NMOS晶體管在電阻器-電容器(RC)配置中作為電阻器而操作，所述NMOS晶體管的電阻與所述負載電流的平方根的倒數值近似成比例地減小。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述將所述NMOS晶體管作為電阻器操作的步驟包括將所述NMOS晶體管的柵極端子耦合到傳導所述負載電流的由所述調整器電路供應的部分的電流鏡。

8.根據權利要求5所述的方法，其中所述將所述第二極引入到所述第一級放大器的開環轉移函數中的步驟包括引發等于所述負載電流的一部分的電流進入所述第一級放大器中。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述引發所述負載電流的部分的步驟包括PMOS晶體管的柵極端子耦合到傳導所述負載電流的由所述調整器電路供應的部分的電流鏡。

10.一種對電壓調整器電路進行頻率補償的方法，所述電壓調整器電路具有第一級放大器和第二級放大器，所述方法包括：

改變所述調整器電路的開環系統轉移函數的單位增益頻率，使得所述單位增益頻率與和極-零雙重線相關聯的頻率成正比地增加，所述極-零雙重線是在所述第一級放大器的輸出處引入的；以及

維持所述極-零雙重線的分流比，使得所述分流比大體上不隨著所述電壓調整器電流供應的負載電流而變化。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

將第二極引入到所述第一級放大器的開環轉移函數中，使得所述第二極頻率與所述負載電流近似成比例。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述單位增益頻率和所述與所述極-零雙重線相關聯的頻率各自與所述負載電流的平方根成比例地增加。