[發(fā)明專利]氧化鎂單晶蒸鍍材料及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680003252.3
• 申請(qǐng)日: 2006-01-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101107380A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 東淳生;川口祥史;國(guó)重正明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 達(dá)泰豪化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24;H01J9/02;H01J11/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種氧化鎂(MgO)單晶蒸鍍材料及其制造方法，該氧化鎂單晶蒸鍍材料在例如使用電子束蒸鍍法、離子鍍法等真空蒸鍍法制造等離子顯示面板(以下，稱為“PDP”)用保護(hù)膜時(shí)，被用作蒸鍍?cè)础?/p>

背景技術(shù)

利用了放電發(fā)光現(xiàn)象的PDP正作為易大型化的平面顯示器進(jìn)行開(kāi)發(fā)。透明電極被玻璃電介體覆蓋的結(jié)構(gòu)的AC型PDP為了防止因離子沖擊的濺射導(dǎo)致電介體表面變質(zhì)、放電電壓上升，通常在該電介體上形成保護(hù)膜。該保護(hù)膜被要求具有低的放電電壓且耐濺射性優(yōu)異。

作為滿足該要求的保護(hù)膜，一直使用MgO膜。MgO膜的耐濺射性優(yōu)異且為二次電子的發(fā)射系數(shù)大的絕緣物，因而，可降低放電起始電壓，有助于PDP的長(zhǎng)壽命化。

現(xiàn)在，通常用MgO蒸鍍材料，通過(guò)電子束蒸鍍法、離子鍍法等真空蒸鍍法在電介體上形成MgO膜。作為MgO蒸鍍材料使用高純度MgO多晶的燒結(jié)體、破碎MgO單晶而得到的物質(zhì)等。

MgO多晶燒結(jié)體成膜速度慢且成膜時(shí)易產(chǎn)生蒸鍍材料的飛散(噴濺)，因而難以得到均勻的保護(hù)膜。因此，提出了這樣的方案：通過(guò)使用高純度且高密度的將平均晶體粒徑控制在特定范圍的MgO多晶的燒結(jié)顆粒、或者使用高純度且高密度的將碳含量控制在特定量以下的MgO多晶的燒結(jié)顆粒作為蒸鍍材料，從而減少蒸鍍時(shí)產(chǎn)生噴濺，得到均勻的保護(hù)膜(專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2)。

另外，提出了這樣的方案：通過(guò)限定由MgO多晶燒結(jié)體形成的蒸鍍材料的體積、表面粗糙度，增加電子束照射區(qū)域的蒸鍍材料的實(shí)際表面積，提高成膜速度(專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4和專利文獻(xiàn)5)。

然而，如上述那樣對(duì)制造方法進(jìn)行改良而得到的MgO多晶燒結(jié)體雖然表現(xiàn)出對(duì)提高蒸鍍時(shí)的成膜速度、抑制產(chǎn)生噴濺具有某種程度的效果，但仍難以說(shuō)是可滿足的保護(hù)膜。除此之外，還存在這樣的根本問(wèn)題，即，多晶燒結(jié)體的晶界本來(lái)就晶格變形集中，露出到蒸鍍材料表面的晶界濃度易產(chǎn)生不均，因此MgO的蒸發(fā)量易變動(dòng)。

另一方面，作為用于得到MgO單晶蒸鍍材料的生產(chǎn)率優(yōu)異的方法，采用以旋轉(zhuǎn)刃產(chǎn)生的沖擊力破碎MgO單晶的方法。破碎MgO單晶而得到的蒸鍍材料成膜速度比較快，可得到良好的保護(hù)膜。然而，通過(guò)這樣的破碎方法制得的MgO單晶蒸鍍材料由于其形狀不定形等原因，會(huì)產(chǎn)生噴濺。因此，存在這樣的問(wèn)題，即，特別是成膜于大型基板上時(shí)，難以得到具有均勻膜質(zhì)的保護(hù)膜。

因此，通過(guò)相應(yīng)于成膜裝置、成膜條件最優(yōu)化MgO的粒度，實(shí)現(xiàn)了成膜速度與噴濺產(chǎn)生頻率的平衡，兼顧生產(chǎn)率和膜質(zhì)的提高。這樣使粒度最優(yōu)化而得到的MgO單晶雖然可提高成膜速度，但仍不能充分抑制噴濺的產(chǎn)生，從最后得到的MgO膜的均質(zhì)性的觀點(diǎn)出發(fā)，還不能說(shuō)可以滿足。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平10-297956號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2000-63171號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2004-43955號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2004-43956號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)5：日本特開(kāi)2004-84016號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

本發(fā)明的目的在于，解決上述問(wèn)題，提供一種MgO單晶蒸鍍材料及其制造方法，該MgO單晶蒸鍍材料作為靶材用于使用電子束蒸鍍法、離子鍍法等真空蒸鍍法在基板上形成MgO膜，并且該單晶MgO蒸鍍材料可抑制噴濺并得到均質(zhì)的MgO膜，而不減少蒸鍍時(shí)的成膜速度。

用于解決問(wèn)題的方法

本發(fā)明人采用MgO單晶作為MgO蒸鍍材料的起始原料，并針對(duì)將其用作真空蒸鍍法中的蒸鍍材料時(shí)，成為噴濺產(chǎn)生原因的因素反復(fù)進(jìn)行了各種研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)MgO單晶的結(jié)晶性與噴濺的產(chǎn)生緊密相關(guān)，通過(guò)將MgO(200)面的搖擺曲線的半值寬度控制在規(guī)定的范圍內(nèi)，可防止噴濺的產(chǎn)生而不減小成膜速度，從而完成了本發(fā)明。

即，采用本發(fā)明，可提供一種MgO單晶蒸鍍材料，其特征在于，MgO(200)面的搖擺曲線的半值寬度為0.005～0.025度。

上述MgO單晶蒸鍍材料優(yōu)選是具有15×10^-9～1200×10^-9m³的體積的大致長(zhǎng)方體狀的單晶。另外，在本發(fā)明中，大致長(zhǎng)方體狀是指長(zhǎng)方體、立方體、板狀體等形狀，另外，包括在這些面形成有微小的高低差(階梯)的形狀等。

另外，用于上述蒸鍍材料的MgO單晶優(yōu)選是通過(guò)電弧電熔法制得的，并且MgO單晶的純度為99.9質(zhì)量％以上。