[發明專利]高耐熱電力用靜態設備

無效

• 申請號: 200680003248.7
• 申請日: 2006-01-20
• 公開（公告）號: CN101107684A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 菅原良孝
• 申請（專利權）人: 關西電力株式會社
• 主分類號: H01G4/224
• 分類號: H01G4/224;H01F27/32;H01G4/18;H01G4/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫秀武;李炳愛

1.一種高耐熱電力用靜態設備，其特征在于，

其至少一個構成要素由合成高分子化合物A覆蓋，

合成高分子化合物A由多個第三有機硅聚合物相連接而構成，所述第三有機硅聚合物是至少一種第一有機硅聚合物和至少一種第二有機硅聚合物相連接而成的，

第一有機硅聚合物具有通過硅氧烷鍵形成的交聯結構，

第二有機硅聚合物具有通過硅氧烷鍵形成的線狀連接結構，

第三有機硅聚合物由第一有機硅聚合物和第二有機硅聚合物通過硅氧烷鍵連接而構成，并且具有2萬～80萬的分子量，

合成高分子化合物A通過加成反應生成的共價鍵將多個第三有機硅聚合物連接而構成，具有三維立體結構。

2.根據權利要求1所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，第一有機硅聚合物是選自聚苯基倍半硅氧烷、聚甲基倍半硅氧烷、聚甲基苯基倍半硅氧烷、聚乙基倍半硅氧烷以及聚丙基倍半硅氧烷中的至少一種，

第二有機硅聚合物是選自聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷以及聚苯基甲基硅氧烷中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，第一有機硅聚合物的分子量為200～70000，第二有機硅聚合物的分子量為5000～200000，并且第一有機硅聚合物的分子量比第二有機硅聚合物的分子量小。

4.根據權利要求1所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，合成高分子化合物A含有具有高熱傳導率的絕緣性陶瓷的微粒。

5.根據權利要求1所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，作為所述構成要素的具有電介質和導電體的電容器元件由合成高分子化合物A所覆蓋。

6.根據權利要求1所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，作為所述構成要素的線圈由合成高分子化合物A所覆蓋。

7.根據權利要求4所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，所述絕緣性陶瓷是選自由氮化鋁、氧化鈹、氧化鋁以及多晶態絕緣性碳化硅中的至少一種。

8.根據權利要求4所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，所述絕緣性陶瓷微粒的粒徑為0.01μm～50μm。

9.根據權利要求4所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，所述絕緣性陶瓷微粒向合成高分子化合物A的體積填充率為15體積％～80體積％。

10.根據權利要求4所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，所述絕緣性陶瓷微粒包括粒徑不同的多個粒徑的微粒，并且粒徑比在1∶1/10～1∶1/200的范圍。

11.根據權利要求5所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，所述電容器元件在膜的兩面形成導電體膜而構成，所述膜由選自聚苯硫醚、聚四氟乙烯以及聚酰亞胺中的至少一種聚合物形成。

12.根據權利要求5所述的高耐熱電力用靜態設備，其中，所述電容器元件在膜的兩面形成導電體膜而構成，所述膜由選自分子量10萬～30萬的聚苯硫醚、分子量10萬～50萬的聚四氟乙烯以及分子量10萬～50萬的聚酰亞胺中的至少一種聚合物形成，并且所述膜中分散有選自鈦酸鋇、氧化鈦以及鈦酸鍶中的至少一種電介質陶瓷微粒。