[發(fā)明專利]超硬切割裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680003002.X
• 申請日: 2006-05-12
• 公開（公告）號: CN101137463A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋健民
• 申請（專利權(quán)）人: 宋健民
• 主分類號: B24B7/22
• 分類號: B24B7/22
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧

1.一種切割裝置，其特征在于其包括有：

基座，其具有工作面，是具有朝向并面向工件的工作面；

復(fù)數(shù)個個別的切割元件，是排列在該基座的工作面上，每一個切割元件具有尖峰，并包括至少一個由多晶超硬材料形成的切割邊緣，切割元件的尖峰被排在一般平面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于其中該基座及每個切割裝置是由整片多晶超硬材料所形成。

3.一種切割裝置，其特征在于其包括有：

基座，其具有工作面，其是朝向并面對工件以將材料移除，該基座為整片多晶超硬材料所制成；

復(fù)數(shù)個個別的切割元件，其是不可缺地形成在該基座的工作面，每一個切割元件具有尖峰，其包括至少一個尖端，而該切割元件的尖峰被排在一般平面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于其中該多晶超硬材料包括超硬鉆石片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于其中該多晶鉆石片具有等于或小于50微米的鉆石粒徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于其中該多晶鉆石片具有為1微米至10微米的鉆石粒徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于其中該多晶鉆石片含有80％至98％的鉆石含量。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于其中多晶超硬材料包括多晶立方氮化硼片。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于其中該切割裝置包括一刨平裝置。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于其中該切割裝置包括一加工裝置。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于其尚包含一連串的第二切割元件，其是形成在每一個切割元件的面上，該第二切割元件的配置是在利用該切割裝置時保有每一個切割邊緣的鋒利度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的裝置，其特征在于其中該切割裝置的尖峰可用來切割一般的易碎材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于其中該易碎材料是一個選自下列族群的物件：金屬、硅晶圓、一經(jīng)平坦化回收的使用過的硅晶圓、LCD玻璃、LED基材、碳化硅晶圓、石英晶圓、氮化硅、氧化鋯、藍(lán)寶石、鈮酸鋰、鈦酸鋰、鋯鈦酸鉛、砷化鎵、氮化鎵、氮化銦、磷酸硼、氮化鋁以及氮化硼。

14.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的裝置，其特征在于其中每一個切割元件的尖峰包括復(fù)數(shù)個與一般平面齊平的切割邊緣。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的裝置，其特征在于其中每一個切割元件的尖峰包括一個選自于下列群組的形狀：正方形、矩形、三角形、六角形、圓形以及橢圓形。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的裝置，其特征在于尚包括一連串的第二切割元件，其具有至少一尖端齊平于第二一般平面，該第二一般平面被配置為離面對基座的一面比一般平面更近，該第二切割元件被配置以限制切割元件切入工件的深度。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于其中該第二切割元件的設(shè)置終止于一個平坦面。

18.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的裝置，其特征在于其中該切割元件的尖峰削減至相對于一般平面的0.5微米至50微米。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于其中該切割元件的尖峰被削減至相對于一般平面的25微米。

20.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的裝置，其特征在于其中一般平面設(shè)置為橫跨切割裝置的工件的200微米至2000微米左右。

21.一個制造如權(quán)利要求2或3所述的切割裝置的方法，其特征在于是包含下列步驟：

提供一多晶超硬材料片；

材料移除步驟，其是從多晶超硬材料基座的工作面將材料移走，以從多晶超硬材料片形成復(fù)數(shù)個個別的切割元件。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于其中多晶超硬材料片包括多晶鉆石片。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于其中該多晶鉆石片具有等于或小于50微米的鉆石粒徑。