[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 200680002450.8
• 申請日: 2006-01-17
• 公開（公告）號: CN101107715A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 大見忠弘;寺本章伸
• 申請（專利權）人: 國立大學法人東北大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種半導體裝置，具備：形成在基板上的元件形成領域；形成在元件形成領域周圍的元件分離領域；經由柵絕緣膜形成在元件形成領域上的柵電極；形成為覆蓋元件形成領域及元件分離領域的層間絕緣膜，其特征在于，

柵絕緣膜以外的元件分離領域及層間絕緣膜的至少一部分由氟化碳形成，所述氟化碳為CF_x，其中，0.3＜x＜0.6。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在所述元件形成領域上，還形成有覆蓋柵絕緣膜及柵電極的保護絕緣膜，該保護絕緣膜的至少一部分由所述氟化碳形成，所述氟化碳為CF_x，其中，0.3＜x＜0.6。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵絕緣膜的相對介電常數為3.9以上。

4.根據權利要求1～3中所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵絕緣膜為硅氧化膜或硅氮化膜。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述元件分離領域、層間絕緣膜及保護絕緣膜的相對介電常數為3.0以下。

6.一種半導體裝置，具備：形成在基板上的元件形成領域；形成在元件形成領域周圍的元件分離領域；經由柵絕緣膜形成在元件形成領域上的柵電極；形成為覆蓋元件形成領域及元件分離領域的層間絕緣膜，其特征在于，

柵絕緣膜以外的元件分離領域及層間絕緣膜的至少一部分由碳氫化合物形成，所述碳氫化合物為CH_y，其中，0.8＜y＜1.2。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，在所述元件形成領域上，還形成覆蓋柵絕緣膜及柵電極的保護絕緣膜，該保護絕緣膜的至少一部分由所述碳氫化合物形成，所述碳氫化合物為CH_y，其中，0.8＜y＜1.2。

8.根據權利要求6或7所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵絕緣膜的相對介電常數為3.9以上。

9.根據權利要求6～8中所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵絕緣膜為硅氧化膜或硅氮化膜。

10.根據權利要求6或7所述的半導體裝置，其特征在于，所述元件分離領域、層間絕緣膜及保護絕緣膜的相對介電常數為3.0以下。

11.一種半導體裝置，具備：形成在基板上的元件形成領域；形成在元件形成領域周圍的元件分離領域；經由柵絕緣膜形成在元件形成領域上的柵電極；形成為覆蓋元件形成領域及元件分離領域的層間絕緣膜，其特征在于，

柵絕緣膜以外的元件分離領域及層間絕緣膜的至少一部分由碳氫化合物和一部分被置換基置換的碳氫化合物形成，其中，所述碳氫化合物為CH_y1，所述一部分被置換基置換的碳氫化合物為CH_y2，y1和y2滿足0.8＜y1、y2＜1.2；y1≠y2的關系。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，在所述元件形成領域上，還形成覆蓋柵絕緣膜及柵電極的保護絕緣膜，該保護絕緣膜的至少一部分由碳氫化合物和一部分被置換基置換的碳氫化合物形成其中，所述碳氫化合物為CH_y1，所述一部分被置換基置換的碳氫化合物為CH_y2，y1和y2滿足0.8＜y1、y2＜1.2；y1≠y2的關系。

13.根據權利要求11或1?2所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵絕緣膜的相對介電常數為3.9以上。

14.根據權利要求11～13中所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵絕緣膜為硅氧化膜或硅氮化膜。

15.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其特征在于，所述元件分離領域、層間絕緣膜及保護絕緣膜的相對介電常數為3.0以下。

16.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其特征在于，所述置換基包含氮。

17.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其特征在于，所述置換基包含硫。

18.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其特征在于，所述置換基包含氧。

19.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其特征在于，所述置換基包含鹵素。