[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680002272.9 | 申請(qǐng)日: | 2006-03-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101103450A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杉野光生;八月朔日猛;坂本有史 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 住友電木株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 高龍?chǎng)?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,其中半導(dǎo)體芯片裝在基板上。
背景技術(shù)
當(dāng)半導(dǎo)體芯片面朝下的裝在基板上時(shí),在基板和芯片之間形成間隙,因此間隙必須用稱作底部填充料的絕緣材料填充。一般使用的底部填充料常規(guī)為以環(huán)氧樹(shù)脂為代表的熱固性樹(shù)脂(專利文件1)。
專利文件1:日本特開(kāi)平11-233571號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
半導(dǎo)體芯片面朝下裝配的半導(dǎo)體裝置存在以下問(wèn)題。
基板和半導(dǎo)體芯片的線性膨脹系數(shù)一般不同。基板由含有有機(jī)樹(shù)脂的材料制成,其線性膨脹系數(shù)大于半導(dǎo)體芯片的線性膨脹系數(shù)。因此,當(dāng)具有半導(dǎo)體芯片裝在基板上這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置經(jīng)受熱累積(heat?history)時(shí),它們之間的線性膨脹系數(shù)之差異會(huì)引起基板的翹曲。已知在常規(guī)半導(dǎo)體裝置中,這樣的翹曲會(huì)引起在例如半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體芯片與凸塊間的界面、或凸塊與基板間的界面出現(xiàn)裂紋或損壞。
另外,半導(dǎo)體芯片裝在基板上這樣的封裝件的翹曲不僅引起上述損壞,還使得難以在基板上裝配該封裝件。因此,需要將封裝件的翹曲減至最小。
目前已經(jīng)使用的材料與常規(guī)用作半導(dǎo)體芯片或連接芯片和基板的凸塊的材料不同,因此需要設(shè)計(jì)新的適于這些材料的底部填充料。例如,在半導(dǎo)體芯片中,稱為low-k的低介電常數(shù)膜已被用作構(gòu)成互連層的絕緣膜材料。這樣的膜可用于防止互連間的干擾(crosstalk),因而提供在高速下高度可靠地操作的半導(dǎo)體裝置。而且,為了環(huán)境和諧,無(wú)鉛材料正成為凸塊材料的主流。
當(dāng)使用Low-k層或無(wú)鉛焊料時(shí),諸如裂紋等的上述損壞變得更加明顯。Low-k層的機(jī)械強(qiáng)度一般不足。甚至是例如由封裝件的翹曲引起在芯片上的一點(diǎn)應(yīng)力都可能導(dǎo)致Low-k層的裂紋。而且,無(wú)鉛焊料韌性不足,使得裂紋易于在凸塊與芯片間或凸塊與基板間的界面生成。
為了防止在半導(dǎo)體芯片和凸塊周圍區(qū)域出現(xiàn)損壞,用與常規(guī)技術(shù)不同的觀點(diǎn)優(yōu)化地設(shè)計(jì)底部填充料,同時(shí)優(yōu)化基板結(jié)構(gòu)是很重要的。本發(fā)明已在上述方面實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置,其包括:
基板,
裝在基板上的半導(dǎo)體芯片,
連接基板和半導(dǎo)體芯片的凸塊,其在基板與半導(dǎo)體芯片之間形成,和填充凸塊周圍的底部填充料,其在基板與半導(dǎo)體芯片之間形成,
其中,
凸塊包括無(wú)鉛焊料,
底部填充料包括彈性模量為150MPa~3000MPa(包括兩個(gè)端點(diǎn)值)的樹(shù)脂材料,
底部填充料的線性膨脹系數(shù)為40ppm/℃或以下,
基板的基板面內(nèi)方向的線性膨脹系數(shù)小于14ppm/℃,并且
基板的基板厚度方向的線性膨脹系數(shù)小于30ppm/℃。
根據(jù)本發(fā)明,底部填充料由高彈性模量的樹(shù)脂材料制成,由此使凸塊周圍被緊緊地固定以防止在凸塊周圍出現(xiàn)裂紋。另外,由于基板的基板面內(nèi)方向的線性膨脹系數(shù)小于14ppm/℃,且基板厚度方向的線性膨脹系數(shù)小于30ppm/℃,基板的翹曲可以避免,從而有效地避免半導(dǎo)體芯片的損壞。而且,基板翹曲的減少可減少在基板上裝配半導(dǎo)體裝置的難度。
這里,底部填充料的彈性模量是在125℃的環(huán)境下測(cè)得的。具體而言,從使用張力測(cè)試裝置在125℃下以1mm/min的速率測(cè)得的應(yīng)力-應(yīng)變曲線的初始斜率計(jì)算該彈性模量。
附圖說(shuō)明
這些或其他目的以及特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)通過(guò)參考下面合適的實(shí)施方式和附圖進(jìn)一步說(shuō)明。
圖1表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。
圖2表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。
圖3表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的部分結(jié)構(gòu)。
圖4表示實(shí)施例所用的底部填充料材料的組成。
圖5表示實(shí)施例所用的基板的組分。
圖6表示實(shí)施例的評(píng)價(jià)結(jié)果。
圖7說(shuō)明實(shí)施例所用的半導(dǎo)體裝置的組分。
圖8表示實(shí)施例的評(píng)價(jià)結(jié)果。
圖9表示實(shí)施例的評(píng)價(jià)結(jié)果。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片裝在基板上的半導(dǎo)體裝置。可用的基板是裝有半導(dǎo)體芯片的基板,例如BGA基板或印刷電路板,所述BGA基板是裝在裝有半導(dǎo)體芯片的印刷電路板上的支持基板。
圖1表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100的實(shí)例的結(jié)構(gòu)略圖。圖2表示另一個(gè)實(shí)例的結(jié)構(gòu)略圖。圖3是圖1的放大圖。這里將說(shuō)明圖1所示的實(shí)例。
半導(dǎo)體裝置100具有BGA基板110、裝在BGA基板110上的半導(dǎo)體芯片101,在BGA基板110與半導(dǎo)體芯片101之間使其連接的凸塊106,和填充凸塊106周圍的底部填充料108。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





