[發明專利]經表面處理的形狀記憶材料及其制造方法無效
| 申請號: | 200680002225.4 | 申請日: | 2006-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN101128224A | 公開(公告)日: | 2008-02-20 |
| 發明(設計)人: | 張文智;楊偉國;呂維加;潘偉業;朱劍豪 | 申請(專利權)人: | 港大科橋有限公司;香港城市大學 |
| 主分類號: | A61L27/04 | 分類號: | A61L27/04;C23C14/48 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉冬;李炳愛 |
| 地址: | 中國香港*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 處理 形狀 記憶 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一種改變鎳鈦合金部分表面組成以增加其生物相容性的方法,該方法包括通過等離子浸沒離子注入法或沉積法,或離子束浸沒法或注入法在所述鎳鈦合金部分的表面上注入氮、氧或碳。
2.權利要求1的方法,其中所述鎳鈦合金是形狀記憶合金,且含有約20%至80%的鎳和80%至20%的鈦。
3.權利要求1的方法,其中所述成分的表面注入增強所述合金的機械性能。
4.權利要求3的方法,其中所述表面機械性能包括親水性、耐腐蝕性和耐磨性。
5.權利要求2的方法,其中所述鎳鈦合金的生物活性可被減小或增強。
6.權利要求2的方法,其中所述等離子浸沒離子注入和沉積法或者相關的基于離子束和等離子的技術,例如等離子增強的氣相沉積法(PECVD)、物理氣相沉積法(VPD)和化學氣相沉積法(CVD),可減少、終止或防止有害離子從所述形狀記憶材料的基底釋放。
7.權利要求2的方法,其中所述材料是用于整形外科、泌尿科、血管外科、肝膽外科或食管外科的生物材料。
8.權利要求6的方法,其中用于所述材料表面處理的各類方法的能量如下:沉積法為1eV到1keV,注入和沉積法為500eV到100keV,束流離子注入法為500eV到10MeV。
9.權利要求6的方法,其中所述材料的表面處理的能量如下:沉積法為1eV到500eV,注入和沉積法為500eV到1000eV,束流離子注入法為1000到1000MeV。
10.權利要求6的方法,其中使用直流電,參數為“無限”脈沖持續時間的0Hz重復到5000Hz。
11.權利要求2的方法,其中所述被注入的材料為氮源、碳源或氧源。
12.權利要求10的方法,其中所述氮源為氮氣。
13.權利要求10的方法,其中所述碳源為乙炔或其衍生物。
14.權利要求10的方法,其中所述氧源為氧氣。
15.根據權利要求1的方法制造出的整形外科植入物。
16.根據權利要求1的方法制造出的血管植入物。
17.根據權利要求1的方法制造出的食管植入物。
18.權利要求10的方法,其中所述成分可以是氣體、液體、固體形式或其組合物。
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