[發明專利]用于(多個)微束形成器的重分布互連和醫學超聲系統有效
| 申請號: | 200680002085.0 | 申請日: | 2006-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN101102853A | 公開(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發明(設計)人: | R·戴維森;A·L·洛賓遜;W·蘇多爾 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | B06B1/06 | 分類號: | B06B1/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;劉紅 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 形成 分布 互連 醫學 超聲 系統 | ||
1、一種超聲換能器,包括:
一個或多個微束形成器集成電路芯片,該一個或多個微束形成器集成電路芯片每一個都包括多個接合焊盤,相鄰的接合焊盤在水平和垂直方向上分開第一節距設置;
聲學元件陣列,該聲學元件陣列包括聲學元件的二維陣列,并且其中相鄰的聲學元件在水平和垂直方向上分開第二節距設置,該第二節距設置不同于第一節距設置;以及
重分布互連,在該重分布互連的第一側經由導電元件電學地耦合到所述一個或多個微束形成器集成電路芯片,并且在第二側經由導電元件電學地耦合到換能器元件陣列,該重分布互連在具有第一節距設置的所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的接合焊盤和具有第二節距設置的所述陣列的聲學元件的相應那些之間提供互連。
2、根據權利要求1的超聲換能器,其中對所述重分布互連進行配置,使得能夠實現所述聲學元件陣列與所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的電學耦合,該聲學元件陣列具有不同于該一個或多個微束形成器集成電路芯片的印跡的形狀。
3、根據權利要求1的超聲換能器,其中所述重分布互連包括多層層疊互連塊。
4、根據權利要求3的超聲換能器,其中所述層疊互連塊包括多個互連層,并且每層互連層包括互連跡線,所述互連跡線被圖形化以在所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的接合焊盤的一部分和所述聲學元件陣列的相應部分之間提供電信號重分布。
5、根據權利要求4的超聲換能器,其中互連層還包括柔性或剛性印刷電路板。
6、根據權利要求1的超聲換能器,其中重分布互連包括塊,所述塊包括多層平面互連,其中所述多個層在該多個層的各個層之間沒有互連。
7、根據權利要求6的超聲換能器,其中每層包括平面內圖形化的導體,該平面內圖形化的導體提供換能器陣列元件和所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的特定組合的給定信號重分布。
8、根據權利要求1的超聲換能器,其中重分布互連包括在非導電材料中鑄造的多個導體。
9、根據權利要求8的超聲換能器,其中所述多個導體中的每一個提供所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的接合焊盤的一部分和聲學元件陣列的相應部分之間的電信號重分布。
10、根據權利要求1的超聲換能器,其中所述重分布互連包括平面外重分布塊,其包括環氧樹脂填充的引線框架、印刷電路板或柔性電路板互連層。
11、根據權利要求1的超聲換能器,其中聲學元件陣列包括聲學元件的線性陣列或聲學元件的彎曲陣列。
12、根據權利要求1的超聲換能器,其中所述一個或多個微束形成器包括兩個集成電路芯片。
13、一種超聲換能器,包括:
一個或多個微束形成器集成電路芯片,該一個或多個微束形成器集成電路芯片每一個都包括多個接合焊盤,相鄰的接合焊盤在水平和垂直方向上分開第一節距設置;
聲學元件陣列,該聲學元件陣列包括聲學元件的二維陣列,并且其中相鄰的聲學元件在水平和垂直方向上分開第二節距設置,該第二節距設置不同于第一節距設置,進一步,其中該聲學元件陣列包括聲學元件平面陣列或聲學元件彎曲陣列;以及
重分布互連,在該重分布互連的第一側經由導電元件電學地耦合到所述一個或多個微束形成器集成電路芯片,并且在第二側經由導電元件電學地耦合到換能器元件陣列,該重分布互連在具有第一節距設置的所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的接合焊盤和具有第二節距設置的所述陣列的聲學元件的相應那些之間提供互連,其中該重分布互連配置成能夠實現所述聲學元件陣列與所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的電學耦合,該聲學元件陣列具有不同于所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的印跡的形狀。
14、根據權利要求13的超聲換能器,其中所述重分布互連包括多層層疊互連塊或者非導電材料中鑄造的多個導體。
15、根據權利要求14的超聲換能器,其中所述層疊互連塊包括多個印刷電路板,并且每個印刷電路板提供所述一個或多個微束形成器集成電路芯片的接合焊盤的一部分和所述聲學元件陣列的相應部分之間的電信號重分布。
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