[發明專利]從半導體基板插入或除去物質的方法

無效

• 申請號: 200680002005.1
• 申請日: 2006-01-10
• 公開（公告）號: CN101103445A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 杰佛瑞·J·史派杰曼;小丹尼爾·阿爾發瑞茲;裘須亞·T·庫克
• 申請（專利權）人: 恩特格林斯公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧

1、一種從半導體基板除去物質的方法，其特征在于該方法包括：

a)將沖洗用流體導入一含半導體基板的容器內，同時將容器內的壓力設定在高水平；

b)維持容器內的壓力在該高水平一段預定期間；

c)藉由從容器除去流體以將容器內的壓力降低至較低水平，該流體含有該物質；及

d)重復步驟a)、b)和c)至少一次，藉以從半導體基板除去物質。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于從半導體基板的結構形體內除去物質。

3、根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的結構形體具有開口大小為小于結構形體的穿透尺寸。

4、根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的結構形體是一種高縱橫比形體。

5、根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的結構形體具有小于約100nm的大小。

6、根據權利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的結構形體具有大于約2nm的大小。

7、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的物質是選自由水、異丙醇、烴、硅氧烷、酸及堿所組成族群的成員。

8、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的沖洗用流體包括空氣、氬氣、氮氣、氦氣、二氧化碳、三甲基硅烷氯化物、六甲基二硅氮烷、氧氣、水及其混合物中至少一種。

9、根據權利要求8所述的方法，其特征在于其中所述的沖洗用流體包括干空氣及水。

10、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的半導體基板包含低k介電材料。

11、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的步驟a)和步驟b)中至少一個包括藉由使半導體基板暴露于沖洗用流體中以修補半導體基板的損傷。

12、根據權利要求11所述的方法，其特征在于其中所述的步驟a)和步驟b)中至少一個包括修補半導體基板的結構形體的損傷。

13、根據權利要求11所述的方法，其特征在于其中所述的沖洗用流體是一種高壓的氣體。

14、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的步驟a)和步驟b)中至少一個包括藉由使半導體基板暴露于沖洗用流體中以鈍化半導體基板的表面。

15、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的降低壓力包括相對于半導體基板中所存在的一組物質，選擇地從半導體基板選擇除去物質。

16、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的壓力的較低水平是低氣壓。

17、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的重復步驟a)、b)和c)是包括在步驟a)、b)和c)的至少一個重復期間，改變高水平、較低水平及預定期間中至少一者。

18、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的重復步驟a)、b)和c)是包括在步驟a)、b)和c)的至少一個重復期間，利用第二種沖洗用流體代替該沖洗用流體，而該第二種沖洗用流體具有不同于該沖洗用流體的組成。

19、根據權利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的步驟a)和步驟b)中至少一個包括引起一種牽涉該沖洗用流體的化學反應。

20、根據權利要求19所述的方法，其特征在于其中所述的引起化學反應是包括產生將要被除去的物質。

21、一種將新物質傳送至半導體基板的方法，其特征在于其包括：

a)將一含有新物質的填充用流體導入一含半導體基板的容器內，同時將容器內的壓力設定在高水平，該容器含有半導體基板；

b)將容器內的壓力維持在高水平一段預定時間；

c)藉由從容器除去流體以將容器內的壓力降低至較低水平；及

d)重復步驟a)、b)和c)至少一次，藉以將新物質傳送至半導體基板。

22、根據權利要求21所述的方法，其特征在于其中所述的半導體基板包括一種結構形體，而該傳送新物質包括將新物質插入半導體基板的結構形體內。