[發(fā)明專利]X射線顯像管的失真校正裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680001942.5
• 申請日: 2006-11-09
• 公開（公告）號: CN101103431A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高橋淳一;君島隆之;小高健太郎
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;東芝電子管器件株式會社
• 主分類號: H01J31/50
• 分類號: H01J31/50
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司
• 代理人: 沈昭坤

1.一種X射線顯像管的失真校正裝置，用磁屏蔽覆蓋具有輸入面、電子透鏡、以及輸出面的真空外殼，其特征在于，具備：

配置在所述X射線顯像管的用磁屏蔽包圍同時不遮擋入射至輸入面的X射線的區(qū)域而且與從所述X射線顯像管的外部進入電子透鏡區(qū)域內(nèi)的外部磁場的強度成為相同的磁場強度的區(qū)域、檢測出從所述X射線顯像管的外部進入電子透鏡區(qū)域內(nèi)的磁場的磁場傳感器；

配置在所述X射線顯像管的輸入面區(qū)域一側(cè)、產(chǎn)生抵消從所述X射線顯像管的外部進入電子透鏡區(qū)域的外部磁場的磁場的磁場發(fā)生部；以及

根據(jù)所述磁場傳感器對外部磁場的檢測、利用所述磁場發(fā)生部產(chǎn)生抵消外部磁場的磁場的控制部。

2.一種X射線顯像管的失真校正裝置，用磁屏蔽覆蓋具有輸入面、電子透鏡及輸出面的真空外殼，其特征在于，具備：

配置在所述X射線顯像管的用磁屏蔽包圍的區(qū)域而且與所述X射線顯像管的輸入面區(qū)域相比在包含電子透鏡區(qū)域一側(cè)的外側(cè)的區(qū)域、檢測出從所述X射線顯像管的外部進入電子透鏡區(qū)域內(nèi)的外部磁場的磁場傳感器；

配置在所述X射線顯像管的輸入面區(qū)域一側(cè)、產(chǎn)生抵消從所述X射線顯像管的外部進入電子透鏡區(qū)域內(nèi)的外部磁場的磁場的磁場發(fā)生部；以及

根據(jù)所述磁場傳感器對外部磁場的檢測、利用所述磁場發(fā)生部產(chǎn)生抵消外部磁場的磁場的控制部。

3.如權(quán)利要求1或2所述的X射線顯像管的失真校正裝置，其特征在于，

磁場傳感器配置在與和X射線顯像管的中心軸成直角、而且包含從輸入面發(fā)射并利用電子透鏡加速聚焦的電子與X射線顯像管的中心軸相交的點的平面相比在輸入面一側(cè)。

4.如權(quán)利要求1至3的任一項所述的X射線顯像管的失真校正裝置，其特征在于，

配置多個磁場傳感器，

控制部根據(jù)將從多個磁場傳感器檢測的信號合成而得到的進入電子透鏡區(qū)域內(nèi)的外部磁場，利用磁場發(fā)生部產(chǎn)生抵消外部磁場的磁場。

5.如權(quán)利要求4所述的X射線顯像管的失真校正裝置，其特征在于，

磁場傳感器在X射線顯像管的管軸方向的不同的多個位置分別配置至少一個以上。

6.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的X射線顯像管的失真校正裝置，其特征在于，

磁場傳感器具有外部磁場的檢測方向，配置該檢測方向與外部磁場的方向一致。

7.如權(quán)利要求4或5所述的X射線顯像管的失真校正裝置，其特征在于，

多個磁場傳感器具有外部磁場的檢測方向，配置該檢測方向為相同方向。

8.如權(quán)利要求4或5所述的X射線顯像管的失真校正裝置，其特征在于，

多個磁場傳感器具有外部磁場的檢測方向，配置該檢測方向為不同方向。

9.如權(quán)利要求1至3的任一項所述的X射線顯像管的失真校正裝置，其特征在于，

磁場傳感器具有外部磁場的檢測方向，

具有進行引導(dǎo)使得外部磁場向著該磁場傳感器的檢測方向的磁路。