[發明專利]鉭氮化物膜的形成方法

有效

• 申請號: 200680001474.1
• 申請日: 2006-03-03
• 公開（公告）號: CN101091004A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 五戶成史;豐田聰;牛川治憲;近藤智保;中村久三
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;H01L21/3205;H01L21/285;H01L23/52
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王健

1.鉭氮化物膜的形成方法，其特征在于，按照CVD法，在成膜室內，同時導入作為在鉭原子的周圍配位了N＝(R，R′)的配合物的原料氣體以及NH₃氣體，在基板上使原料化合物還原，形成還原化合物膜，將與N鍵合的R基、R′基一部分切斷除去，然后導入含H原子的氣體，與上述還原化合物膜反應，切斷還原化合物中的Ta-N鍵，且切斷除去殘留著的與N鍵合的R基、R′基，形成富含鉭的鉭氮化物膜，上述R及R′表示碳原子數1-6的烷基，各自可以是相同的基團，也可以是不同的基團，前述原料氣體是從五(二甲基氨基)鉭、叔-戊基亞氨基三(二甲基酰胺)鉭、五(二乙基氨基)鉭、叔-丁基亞氨基三(二甲基酰胺)鉭、叔-丁基亞氨基三(乙基甲基酰胺)鉭中選出的至少一種的氣體。

2.權利要求1記載的鉭氮化物膜的形成方法，其特征在于，上述含有H原子的氣體在成膜室內通過熱或者等離子體變換成自由基，使該自由基與還原化合物膜反應，形成富含鉭的鉭氮化物膜。

3.權利要求1或者2記載的鉭氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述含有H原子的氣體是選自H₂、NH₃、SiH₄的至少一種氣體。

4.鉭氮化物膜的形成方法，其特征在于，對用權利要求1或者2記載的形成方法獲得的鉭氮化物膜，通過使用以鉭作為主構成成分的靶的濺射，使鉭粒子入射。

5.權利要求4記載的鉭氮化物膜的形成方法，其特征在于，前述濺射是通過調整DC功率和RF功率，使DC功率大于0kW且為5kW以下，并且使RF功率為400-800W來進行的。

6.鉭氮化物膜的形成方法，其特征在于，按照CVD法，在成膜室內，同時導入TaX₅的原料氣體以及NH₃氣體，在基板上使其反應，形成鉭氮化物膜，然后對獲得的鉭氮化物膜通過使用以鉭作為主構成成分的靶的濺射，使鉭粒子入射，上述TaX₅中，X表示鹵原子。

7.權利要求6記載的鉭氮化物膜的形成方法，前述濺射是通過調整DC功率和RF功率，使DC功率在5kW以下，并且使RF功率為400-800W來進行的。