[發明專利]光學傳感器電路和圖像傳感器

無效

• 申請號: 200680001403.1
• 申請日: 2006-06-09
• 公開（公告）號: CN101080922A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 神山智幸;筱塚典之;國頭正樹;古川誠
• 申請（專利權）人: 本田技研工業株式會社
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335;H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 朱海波

1.一種光學傳感器電路，包括：

光電轉換器件，其包括存儲電荷的靜電電容單元，并且其將光信號轉換成電流信號；

轉換MOS晶體管，用于將從所述光電轉換器件輸出的所述電流信號轉換成在弱反相狀態下具有對數特性的電壓信號；以及

控制裝置，用于將柵極電壓供應到所述轉換MOS晶體管的柵極以及將漏極電壓供應到所述轉換MOS晶體管的漏極，

其中所述控制裝置具有用于執行初始設置的初始設置裝置，在所述初始設置中，在僅在第一預定時間段將所述轉換MOS晶體管的所述柵極電壓設置成高柵極電壓值VgH，而僅在第二預定時間段將所述漏極電壓設置成低漏極電壓值VdL的同時，對所述光電轉換器件的所述靜電電容單元進行充電/放電，隨后將所述漏極電壓設置成高漏極電壓值VdH，在經過第三預定時間段之后，所述柵極電壓被設置成低柵極電壓值VgL，而所述高柵極電壓值VgH、所述高漏極電壓值VdH和所述低漏極電壓值VdL被設置成滿足如下關系表達式：

“VgH-VdH<Vth和VgH-VdL>Vth，其中Vth為所述轉換MOS晶體管的閾值電壓”。

2.根據權利要求1所述的光學傳感器電路，其中所述控制裝置具有用于將所述轉換MOS晶體管的所述高柵極電壓值VgH切換地設置成任意電壓值的切換裝置。

3.根據權利要求1或者2所述的光學傳感器電路，其中所述電路包括用于放大從所述轉換MOS晶體管輸出的所述電壓信號的放大MOS晶體管。

4.根據權利要求3所述的光學傳感器電路，其中所述電路包括用于選擇性地輸出從所述放大MOS晶體管輸出的電壓信號的輸出-選擇MOS晶體管。

5.根據權利要求4所述的光學傳感器電路，其中所述電路包括：

另一靜電電容單元，基于所述光電轉換器件的端子電壓來累積電荷；以及

電荷-移動MOS晶體管，用于在所述靜電電容單元與所述另一靜電電容單元之間選擇性地移動電荷，

所述初始設置裝置

導通所述電荷-移動MOS晶體管，

僅在所述第一預定時間段將所述轉換MOS晶體管的所述柵極電壓設置成所述高柵極電壓值VgH，僅在所述第二預定時間段將所述漏極電壓設置成所述低漏極電壓值VdL，對所述光電轉換單元的所述靜電電容單元和所述另一靜電電容單元進行充電/放電，隨后將所述漏極電壓設置成所述高漏極電壓值VdH，而在經過所述第三預定時間段之后，將所述柵極電壓設置成所述低柵極電壓值VgL，并且設置所述高柵極電壓值VgH、所述高漏極電壓值VdH和所述低漏極電壓值VdL以便滿足所述關系表達式，

隨后在經過恒定曝光時間之后，所述電荷-移動MOS晶體管被截止以將所述另一靜電電容單元設置成開路狀態，然后所述輸出-選擇MOS晶體管被導通，從而輸出傳感器信號。

6.一種圖像傳感器，其中成像區域是通過使用根據權利要求1至5中任一權利要求所述的光學傳感器電路作為一個像素來形成的。