[發明專利]成膜方法及成膜裝置

無效

• 申請號: 200680001233.7
• 申請日: 2006-04-07
• 公開（公告）號: CN101061575A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 龜嶋隆季;川村剛平;小林保男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/44
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種成膜方法，其特征在于，包括：

在內部配置有由含有金屬氧化物的陶瓷構成的載置臺的處理容器內，導入含有無機硅烷氣體的處理氣體，在包含所述載置臺表面的所述處理容器內壁上，預涂敷含有硅的非金屬薄膜的工序；

將被處理基板裝載到已預涂敷有所述非金屬薄膜的載置臺上的工序；和

在所述處理容器內，導入含有有機硅烷氣體的處理氣體，在被裝載到所述載置臺上的所述被處理基板的表面形成含硅的非金屬薄膜的工序。

2.一種成膜方法，其特征在于，包括：

在內部配置有由含有金屬氧化物的陶瓷構成的載置臺的處理容器內，導入含有無機硅烷氣體的處理氣體，在包含所述載置臺表面的所述處理容器內壁上，預涂敷含有硅的非金屬的第一薄膜的工序；

將樣品基板裝載于已預涂敷有所述非金屬的第一薄膜的載置臺上的工序；

向所述處理容器內導入用于去除所述非金屬的第一薄膜的清洗氣體，去除由所述載置臺表面的所述樣品基板覆蓋的區域以外的部分上成膜的所述非金屬的第一薄膜的工序；

向所述處理容器內導入含有有機硅烷氣體的處理氣體，在所述處理容器內壁以及裝載有所述樣品基板的狀態的所述載置臺表面上預涂敷含有硅的非金屬的第二薄膜的工序；

將所述樣品基板搬出所述處理容器的工序；

將被處理基板裝載到所述搬出樣品基板后的所述載置臺上的工序；和

在所述處理容器內，導入含有有機硅烷氣體的處理氣體，在被裝載到所述載置臺上的所述被處理基板的表面上形成含硅的非金屬薄膜的工序。

3.如權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

所述無機硅烷氣體是甲硅烷、乙硅烷和二氯硅烷氣體中的任一種。

4.如權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

使用含有所述有機硅烷氣體的處理氣體形成的含有硅的非金屬薄膜是添加碳和氮的硅膜(SiCN膜)、添加碳的硅氧化膜(SiCO膜)、以及添加碳和氫的硅膜(SiCH膜)中的任一種。

5.如權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

所述載置臺包括金屬氧化物中的氧化鈦作為粘結劑。

6.一種成膜裝置，其特征在于，包括：

內部設置有裝載基板的載置臺的處理容器；

用于向所述處理容器內導入含無機硅烷氣體的處理氣體的第一處理氣體導入裝置；

用于向所述處理容器內導入含有有機硅烷氣體的處理氣體的第二處理氣體導入裝置；

用于對所述載置臺交接基板的基板移載裝置；和

控制所述第一處理氣體導入裝置、所述第二處理氣體導入裝置以及所述基板移載裝置，以實施權利要求1或2所述的成膜方法的控制部。